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EBE21AD4AGFA-5C-E PDF预览

EBE21AD4AGFA-5C-E

更新时间： 2024-01-27 15:23:25
品牌 Logo 应用领域
尔必达 - ELPIDA 动态存储器双倍数据速率
页数 文件大小 规格书
23页 197K
描述
2GB Registered DDR2 SDRAM DIMM

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EBE21AD4AGFA-5C-E 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIMM包装说明：DIMM, DIMM240,40
针数：240Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.36
风险等级：5.84访问模式：DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间：0.5 ns其他特性：AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：266 MHzI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-XDMA-N240内存密度：19327352832 bit
内存集成电路类型：DDR DRAM MODULE内存宽度：72
功能数量：1端口数量：1
端子数量：240字数：268435456 words
字数代码：256000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：
组织：256MX72输出特性：3-STATE
封装主体材料：UNSPECIFIED封装代码：DIMM
封装等效代码：DIMM240,40封装形状：RECTANGULAR
封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：1.8 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：8192自我刷新：YES
子类别：Other Memory ICs最大压摆率：7.42 mA
最大供电电压 (Vsup)：1.9 V最小供电电压 (Vsup)：1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：1.8 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：OTHER
端子形式：NO LEAD端子节距：1 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

EBE21AD4AGFA-5C-E 数据手册

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EBE21AD4AGFA  
-6E  
667  
-5C  
-4A  
Frequency (Mbps)  
Parameter  
533  
400  
Symbol min.  
max.  
min.  
max.  
min.  
max.  
Unit  
ns  
Notes  
Active to precharge command tRAS  
Active to auto-precharge delay tRAP  
45  
70000  
45  
70000  
40  
70000  
tRCD min.  
tRCD min.  
tRCD min.  
ns  
Active bank A to active bank B  
tRRD  
7.5  
7.5  
7.5  
ns  
command period  
Write recovery time  
tWR  
15  
15  
15  
ns  
Auto precharge write recovery  
+ precharge time  
(tWR/tCK)+  
(tRP/tCK)  
(tWR/tCK)+  
(tRP/tCK)  
(tWR/tCK)+  
(tRP/tCK)  
tDAL  
tCK  
1
Internal write to read command  
delay  
tWTR  
tRTP  
7.5  
7.5  
7.5  
10  
ns  
Internal read to precharge  
command delay  
7.5  
7.5  
ns  
Exit self refresh to a non-read  
command  
tXSNR tRFC + 10  
tXSRD 200  
tRFC + 10  
tRFC + 10  
ns  
Exit self refresh to a read  
command  
200  
2
200  
2
tCK  
tCK  
tCK  
Exit precharge power down to  
any non-read command  
tXP  
2
2
Exit active power down to read  
command  
tXARD  
2
2
3
Exit active power down to read  
command  
tXARDS 7− AL  
6 − AL  
6 − AL  
tCK  
2, 3  
(slow exit/low power mode)  
CKE minimum pulse width (high  
and low pulse width)  
tCKE  
tOIT  
3
3
3
tCK  
ns  
Output impedance test driver  
delay  
0
12  
0
12  
0
12  
Auto refresh to active/auto  
refresh command time  
tRFC  
105  
105  
105  
ns  
Average periodic refresh  
interval  
(0°C ≤ TC ≤ +85°C)  
tREFI  
tREFI  
7.8  
3.9  
7.8  
3.9  
7.8  
3.9  
µs  
µs  
ns  
(+85°C < TC ≤ +95°C)  
Minimum time clocks remains  
ON after CKE asynchronously tDELAY  
drops low  
tIS + tCK +  
tIH  
tIS + tCK +  
tIH  
tIS + tCK +  
tIH  
Notes: 1. For each of the terms above, if not already an integer, round to the next higher integer.  
2. AL: Additive Latency.  
3. MRS A12 bit defines which active power down exit timing to be applied.  
4. The figures of Input Waveform Timing 1 and 2 are referenced from the input signal crossing at the  
VIH(AC) level for a rising signal and VIL(AC) for a falling signal applied to the device under test.  
5. The figures of Input Waveform Timing 1 and 2 are referenced from the input signal crossing at the  
VIH(DC) level for a rising signal and VIL(DC) for a falling signal applied to the device under test.  
CK  
DQS  
/CK  
/DQS  
tIS  
tIH  
tIS  
tIH  
tDS tDH  
tDS tDH  
VDDQ  
VDDQ  
VIH (AC)(min.)  
VIH (DC)(min.)  
VREF  
VIH (AC)(min.)  
VIH (DC)(min.)  
VREF  
VIL (DC)(max.)  
VIL (AC)(max.)  
VSS  
VIL (DC)(max.)  
VIL (AC)(max.)  
VSS  
Input Waveform Timing 1 (tDS, tDH)  
Input Waveform Timing 2 (tIS, tIH)  
Preliminary Data Sheet E0866E11 (Ver. 1.1)  
17  
1...14151617181920...23

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