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Datasheet > 存储 > DRAM> EBE11ED8AEFA-5C-E
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EBE11ED8AEFA-5C-E

更新时间： 2024-01-28 00:08:25
品牌 Logo 应用领域
尔必达 - ELPIDA 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
页数 文件大小 规格书
22页 187K
描述
1GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM (128M words x 72 bits, 2 Ranks)

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EBE11ED8AEFA-5C-E 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIMM包装说明：DIMM, DIMM240,40
针数：240Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.36
风险等级：5.84Is Samacsys：N
访问模式：DUAL BANK PAGE BURST最长访问时间：0.5 ns
其他特性：AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK)：267 MHz
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-XDMA-N240
内存密度：9663676416 bit内存集成电路类型：DDR DRAM MODULE
内存宽度：72功能数量：1
端口数量：1端子数量：240
字数：134217728 words字数代码：128000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：组织：128MX72
输出特性：3-STATE封装主体材料：UNSPECIFIED
封装代码：DIMM封装等效代码：DIMM240,40
封装形状：RECTANGULAR封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：1.8 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：8192
自我刷新：YES子类别：DRAMs
最大压摆率：3.465 mA最大供电电压 (Vsup)：1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：1.7 V标称供电电压 (Vsup)：1.8 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：OTHER端子形式：NO LEAD
端子节距：1 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

EBE11ED8AEFA-5C-E 数据手册

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EBE11ED8AEFA  
-5C  
533  
min.  
-4A  
400  
min.  
Frequency (Mbps)  
Parameter  
Symbol  
tRRD  
tWR  
max.  
max.  
Unit  
ns  
Notes  
Active bank A to active bank B command  
period  
7.5  
15  
7.5  
15  
Write recovery time  
ns  
Auto precharge write recovery + precharge  
time  
(tWR/tCK)+  
(tRP/tCK)  
(tWR/tCK)+  
(tRP/tCK)  
tDAL  
tCK  
1
Internal write to read command delay  
Internal read to precharge command delay  
Exit self refresh to a non-read command  
Exit self refresh to a read command  
tWTR  
tRTP  
7.5  
10  
ns  
7.5  
7.5  
ns  
tXSNR  
tXSRD  
tRFC + 10  
200  
tRFC + 10  
200  
ns  
tCK  
Exit precharge power down to any non-read  
command  
tXP  
2
2
tCK  
tCK  
tCK  
Exit active power down to read command  
tXARD  
tXARDS  
2
2
3
Exit active power down to read command  
(slow exit/low power mode)  
6 − AL  
6 − AL  
2, 3  
CKE minimum pulse width (high and low  
pulse width)  
tCKE  
tOIT  
3
3
tCK  
ns  
Output impedance test driver delay  
0
12  
0
12  
Auto refresh to active/auto refresh command  
time  
tRFC  
tREFI  
tDELAY  
105  
105  
ns  
Average periodic refresh interval  
7.8  
7.8  
µs  
Minimum time clocks remains ON after CKE  
asynchronously drops low  
tIS + tCK +  
tIH  
tIS + tCK +  
tIH  
ns  
Notes: 1. For each of the terms above, if not already an integer, round to the next higher integer.  
2. AL: Additive Latency.  
3. MRS A12 bit defines which active power down exit timing to be applied.  
4. The figures of Input Waveform Timing 1 and 2 are referenced from the input signal crossing at the  
VIH(AC) level for a rising signal and VIL(AC) for a falling signal applied to the device under test.  
5. The figures of Input Waveform Timing 1 and 2 are referenced from the input signal crossing at the  
VIH(DC) level for a rising signal and VIL(DC) for a falling signal applied to the device under test.  
CK  
DQS  
/CK  
/DQS  
tIS  
tIH  
tIS  
tIH  
tDS tDH  
tDS tDH  
VDDQ  
VDDQ  
VIH (AC)(min.)  
VIH (DC)(min.)  
VREF  
VIH (AC)(min.)  
VIH (DC)(min.)  
VREF  
VIL (DC)(max.)  
VIL (AC)(max.)  
VSS  
VIL (DC)(max.)  
VIL (AC)(max.)  
VSS  
Input Waveform Timing 1 (tDS, tDH)  
Input Waveform Timing 2 (tIS, tIH)  
Data Sheet E0587E20 (Ver.2.0)  
16  
1...13141516171819...22

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与EBE11ED8AEFA-5C-E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
EBE11ED8AEFA-6 ELPIDA

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 		1GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM (128M words x 72 bits, 2 Ranks)
EBE11ED8AEFA-6E-E ELPIDA

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 		1GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM (128M words x 72 bits, 2 Ranks)
EBE11ED8AGFA ELPIDA

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 		1GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM (128M words x 72 bits, 2 Ranks)
EBE11ED8AGFA-4A-E ELPIDA

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 		1GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM (128M words x 72 bits, 2 Ranks)
EBE11ED8AGFA-5C-E ELPIDA

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 		1GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM (128M words x 72 bits, 2 Ranks)
EBE11ED8AGFA-6E-E ELPIDA

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 		1GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM (128M words x 72 bits, 2 Ranks)
EBE11ED8AGWA ELPIDA

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 		1GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM
EBE11ED8AGWA-5C-E ELPIDA

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 		1GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM
EBE11ED8AGWA-6E-E ELPIDA

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 		1GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM
EBE11ED8AHFA-8E-E ELPIDA

获取价格

 		DDR DRAM Module, 128MX72, 0.4ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-240

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