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EBE10UE8AEFB-8G-F

更新时间： 2024-02-26 15:44:40

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尔必达 - ELPIDA		存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率
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描述
1GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM

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EBE10UE8AEFB-8G-F 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIMM
包装说明：	DIMM,	针数：	240
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.32	风险等级：	5.84
访问模式：	SINGLE BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.4 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH; SEATED HGT-NOM; WD-MAX	JESD-30 代码：	R-XDMA-N240
长度：	133.35 mm	内存密度：	1073741824 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM MODULE	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	240	字数：	134217728 words
字数代码：	128000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：
组织：	128MX8	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIMM	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	30 mm	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	3.18 mm
Base Number Matches：	1

EBE10UE8AEFB-8G-F 数据手册

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EBE10UE8AEFB

Pin Description

Pin name

Function

Address input

Row address

Column address

A0 to A13

A0 to A9

A10 (AP)

Auto precharge

BA0, BA1, BA2

Bank select address

Data input/output

DQ0 to DQ63

/RAS

Row address strobe command

Column address strobe command

Write enable

/CAS

/WE

/CS0

Chip select

CKE0

Clock enable

CK0 to CK2

Clock input

/CK0 to /CK2

Differential clock input

Input and output data strobe

Input mask

DQS0 to DQS7, /DQS0 to /DQS7

DM0 to DM7

SCL

Clock input for serial PD

Data input/output for serial PD

Serial address input

Power for internal circuit

Power for serial EEPROM

Input reference voltage

Ground

SDA

SA0 to SA2

VDD

VDDSPD

VREF

VSS

ODT0

ODT control

No connection

Preliminary Data Sheet E1402E10 (Ver. 1.0)

1 2 345 6 7...30

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