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EBD52UC8AARA-7A-E

更新时间: 2024-02-18 19:48:30
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尔必达 - ELPIDA 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
页数 文件大小 规格书
19页 192K
描述
DDR DRAM Module, 64MX64, 0.75ns, CMOS, SODIMM-200

EBD52UC8AARA-7A-E 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:MODULE包装说明:DIMM, DIMM200,24
针数:200Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.36
风险等级:5.92访问模式:DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间:0.75 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):133 MHzI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XDMA-N200内存密度:4294967296 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM MODULE内存宽度:64
功能数量:1端口数量:1
端子数量:200字数:67108864 words
字数代码:64000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:64MX64输出特性:3-STATE
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:DIMM
封装等效代码:DIMM200,24封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY电源:2.5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:8192
自我刷新:YES最大待机电流:0.096 A
子类别:DRAMs最大压摆率:2.24 mA
最大供电电压 (Vsup):2.7 V最小供电电压 (Vsup):2.3 V
标称供电电压 (Vsup):2.5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:NO LEAD端子节距:0.6 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

EBD52UC8AARA-7A-E 数据手册

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EBD10RD4ABFA  
Physical Outline  
Unit: mm  
128.95  
4.00 max  
(DATUM -A-)  
(64.48)  
Component area  
(Front)  
1
92  
B
A
1.27 ± 0.10  
64.77  
49.53  
133.35 ± 0.15  
2 – φ 2.50 ± 0.10  
93  
184  
Component area  
(Back)  
3.00 min  
R 2.00  
Detail A  
Detail B  
1.27 typ  
(DATUM -A-)  
6.62  
2.175  
R 0.90  
6.35  
1.80 ± 0.10  
1.00 ± 0.05  
Note: Tolerance on all dimensions ± 0.13 unless otherwise specified.  
ECA-TS2-0050-01  
Preliminary Data Sheet E0274E40 (Ver. 4.0)  
17  

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