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EBD21RD4ADNA-7A-E

更新时间: 2024-01-23 13:03:16
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尔必达 - ELPIDA 动态存储器双倍数据速率
页数 文件大小 规格书
19页 198K
描述
2GB Registered DDR SDRAM DIMM (256M words X72 bits, 2 Ranks)

EBD21RD4ADNA-7A-E 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIMM包装说明:DIMM,
针数:184Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.36
风险等级:5.92Is Samacsys:N
访问模式:DUAL BANK PAGE BURST最长访问时间:0.75 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESHJESD-30 代码:R-XDMA-N184
JESD-609代码:e0内存密度:19327352832 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM MODULE内存宽度:72
功能数量:1端口数量:1
端子数量:184字数:268435456 words
字数代码:256000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:256MX72封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:DIMM封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY峰值回流温度(摄氏度):235
认证状态:Not Qualified自我刷新:YES
最大供电电压 (Vsup):2.7 V最小供电电压 (Vsup):2.3 V
标称供电电压 (Vsup):2.5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:NO LEAD
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

EBD21RD4ADNA-7A-E 数据手册

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EBD21RD4ADNA-E  
Block Diagram  
VSS  
/RCS1  
/RCS0  
RS  
RS  
DQS0  
DM0/DQS9  
DQS  
DQ  
/CS DM  
DQS  
DQ  
/CS DM  
DQS  
DQ  
/CS DM  
DQS  
DQ  
/CS DM  
RS  
RS  
RS  
RS  
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
DQ0 to DQ3  
DQS1  
DQ4 to DQ7  
DM1/DQS10  
D0  
D18  
D9  
D27  
DQS  
DQ  
/CS DM  
DQS  
DQ  
/CS DM  
DQS  
DQ  
/CS DM  
DQS  
DQ  
/CS DM  
RS  
RS  
RS  
RS  
DQ8 to DQ11  
DQS2  
DQ12 to DQ15  
DM2/DQS11  
D1  
D19  
D10  
D28  
DQS  
DQ  
/CS DM  
DQS  
DQ  
/CS DM  
DQS  
DQ  
/CS DM  
DQS  
DQ  
/CS DM  
RS  
RS  
RS  
RS  
DQ16 to DQ19  
DQS3  
DQ20 to DQ23  
DM3/DQS12  
D2  
D20  
D11  
D29  
DQS  
DQ  
/CS DM  
DQS  
DQ  
/CS DM  
DQS  
DQ  
/CS DM  
DQS  
DQ  
/CS DM  
RS  
RS  
RS  
RS  
DQ24 to DQ27  
DQS4  
DQ28 to DQ31  
DM4/DQS13  
D3  
D21  
D12  
D30  
DQS  
DQ  
/CS DM  
DQS  
DQ  
/CS DM  
DQS  
DQ  
/CS DM  
DQS  
DQ  
/CS DM  
RS  
RS  
RS  
RS  
DQ32 to DQ35  
DQS5  
DQ36 to DQ39  
DM5/DQS14  
D4  
D22  
D13  
D31  
DQS  
DQ  
/CS DM  
DQS  
DQ  
/CS DM  
DQS  
DQ  
/CS DM  
DQS  
DQ  
/CS DM  
RS  
RS  
RS  
RS  
DQ40 to DQ43  
DQS6  
DQ44 to DQ47  
DM6/DQS15  
D5  
D23  
D14  
D32  
DQS  
DQ  
/CS DM  
DQS  
DQ  
/CS DM  
DQS  
DQ  
/CS DM  
DQS  
DQ  
/CS DM  
RS  
RS  
RS  
RS  
DQ48 to DQ51  
DQS7  
DQ52 to DQ55  
DM7/DQS16  
D6  
D24  
D15  
D33  
DQS  
DQ  
/CS DM  
DQS  
DQ  
/CS DM  
DQS  
DQ  
/CS DM  
DQS  
DQ  
/CS DM  
RS  
RS  
RS  
RS  
DQ56 to DQ59  
DQS8  
DQ60 to DQ63  
DM8/DQS17  
D7  
D25  
D16  
D34  
DQS  
DQ  
/CS DM  
DQS  
DQ  
/CS DM  
DQS  
DQ  
/CS DM  
DQS  
DQ  
/CS DM  
RS  
RS  
CB0 to CB3  
CB4 to CB7  
D8  
D26  
D17  
D35  
R
S
S
S
S
S
S
S
S
/CS0  
/CS1  
/RCS0 -> /CS: SDRAMs D0 to D17  
* D0 to D35: 512M bits DDR SDRAM TCP  
U0: 2k bits EEPROM  
RS: 22(DQ, DQS)  
PLL: CDCV857  
Register: SSTV32852  
R
R
R
R
R
R
R
/RCS1 -> /CS: SDRAMs D18 to D35  
RBA0 to RBA1 -> BA0 to BA1: SDRAMs D0 to D35  
RA0 to RA12 -> A0 to A12: SDRAMs D0 to D35  
/RRAS -> /RAS: SDRAMs D0 to D35  
/RCAS -> /CAS: SDRAMs D0 to D35  
RCKE0 -> CKE: SDRAMs D0 to D17  
RCKE1 -> CKE: SDRAMs D18 to D35  
/RWE -> /WE: SDRAMs D0 to D35  
R
E
G
I
S
T
E
R
BA0 to BA1  
A0 to A12  
/RAS  
Serial PD  
/CAS  
SCL  
SCL  
A0  
SDA  
SDA  
CKE0  
U0  
CKE1  
A1  
A2  
R
S
/WE  
PCK  
/PCK  
/RESET  
SA0 SA1 SA2  
Notes:  
VDD  
D0 to D35  
1. The SDA pull-up resistor is required due to  
the open-drain/open-collector output.  
2. The SCL pull-up resistor is recommended  
because of the normal SCL line inacitve  
"high" state.  
VREF  
VSS  
D0 to D35  
D0 to D35  
VDDID  
open  
CK0, /CK0  
PLL*  
Note: Wire per Clock loading table/Wiring diagrams.  
Data Sheet E0606E10 (Ver. 1.0)  
8

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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