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Datasheet > 存储 > DRAM> EBD21RD4ADNA-7A-E
EBD21RD4ADNA-7A-E PDF预览

EBD21RD4ADNA-7A-E

更新时间： 2024-02-29 09:03:21
品牌 Logo 应用领域
尔必达 - ELPIDA 动态存储器双倍数据速率
页数 文件大小 规格书
19页 198K
描述
2GB Registered DDR SDRAM DIMM (256M words X72 bits, 2 Ranks)

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EBD21RD4ADNA-7A-E 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIMM包装说明：DIMM,
针数：184Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.36
风险等级：5.92Is Samacsys：N
访问模式：DUAL BANK PAGE BURST最长访问时间：0.75 ns
其他特性：AUTO/SELF REFRESHJESD-30 代码：R-XDMA-N184
JESD-609代码：e0内存密度：19327352832 bit
内存集成电路类型：DDR DRAM MODULE内存宽度：72
功能数量：1端口数量：1
端子数量：184字数：268435456 words
字数代码：256000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：256MX72封装主体材料：UNSPECIFIED
封装代码：DIMM封装形状：RECTANGULAR
封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY峰值回流温度（摄氏度）：235
认证状态：Not Qualified自我刷新：YES
最大供电电压 (Vsup)：2.7 V最小供电电压 (Vsup)：2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：2.5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

EBD21RD4ADNA-7A-E 数据手册

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EBD21RD4ADNA-E  
Serial PD Matrix*1  
Byte No. Function described  
Bit7 Bit6 Bit5 Bit4 Bit3 Bit2 Bit1 Bit0 Hex value  
Comments  
128  
Number of bytes utilized by module  
0
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
80H  
08H  
manufacturer  
Total number of bytes in serial PD  
256 byte  
device  
2
3
4
5
6
7
8
Memory type  
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
1
0
0
1
1
1
0
0
0
1
1
0
0
1
0
0
0
1
1
0
0
0
0
0
07H  
0DH  
0CH  
02H  
48H  
00H  
04H  
SDRAM DDR  
Number of row address  
Number of column address  
Number of DIMM ranks  
Module data width  
13  
12  
2
72 bits  
0 (+)  
Module data width continuation  
Voltage interface level of this assembly 0  
SSTL 2.5V  
DDR SDRAM cycle time, CL = X  
9
0
1
1
1
1
1
1
0
1
1
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
1
0
60H  
75H  
70H  
CL = 2.5*3  
-6B  
-7A, -7B  
SDRAM access from clock (tAC)  
-6B  
0
0
10  
0.70ns*3  
-7A, -7B  
0
0
1
0
1
0
1
0
0
0
1
0
0
1
1
0
75H  
02H  
0.75ns*3  
ECC  
7.8 µs  
Self refresh  
11  
12  
DIMM configuration type  
Refresh rate/type  
1
0
0
0
0
0
1
0
82H  
13  
14  
Primary SDRAM width  
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
0
0
0
04H  
04H  
× 4  
Error checking SDRAM width  
× 4  
SDRAM device attributes:  
Minimum clock delay back-to-back  
column access  
15  
0
0
0
0
0
0
0
1
01H  
1 CLK  
SDRAM device attributes:  
16  
17  
18  
19  
20  
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
1
0
0
1
1
1
0
0
1
0
0
0
1
0
0
0
1
0
0EH  
04H  
0CH  
01H  
02H  
2, 4, 8  
Burst length supported  
SDRAM device attributes: Number of  
banks on SDRAM device  
SDRAM device attributes:  
/CAS latency  
SDRAM device attributes:  
/CS latency  
SDRAM device attributes:  
/WE latency  
4
2, 2.5  
0
1
21  
22  
SDRAM module attributes  
0
1
0
1
1
0
0
0
0
0
1
0
1
0
0
0
26H  
C0H  
Registered  
± 0.2V  
SDRAM device attributes: General  
Minimum clock cycle time at CLX - 0.5  
-6B, -7A  
-7B  
23  
0
1
1
0
1
1
1
0
0
0
1
0
0
0
1
0
75H  
A0H  
CL = 2*3  
Maximum data access time (tAC) from  
0.70ns*3  
0.75ns*3  
clock at CLX - 0.5  
-6B  
24  
0
1
1
1
0
0
0
0
70H  
-7A, -7B  
0
0
1
0
1
0
1
0
0
0
1
0
0
0
1
0
75H  
00H  
25  
26  
Minimum clock cycle time at CLX - 1  
Maximum data access time (tAC) from  
clock at CLX - 1  
0
0
0
0
0
0
0
0
00H  
Data Sheet E0606E10 (Ver. 1.0)  
5
12345678...19

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EBD21RD4ADNA-7B ELPIDA 2GB Registered DDR SDRAM DIMM (256M words X72 bits, 2 Ranks)

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