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EBD11UD8ABFB-7A

更新时间: 2024-02-26 17:24:09
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尔必达 - ELPIDA 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
页数 文件大小 规格书
19页 207K
描述
1GB Unbuffered DDR SDRAM DIMM

EBD11UD8ABFB-7A 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIMM包装说明:DIMM, DIMM184
针数:184Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.36
风险等级:5.92Is Samacsys:N
访问模式:DUAL BANK PAGE BURST最长访问时间:0.75 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK):133 MHz
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-XDMA-N184
内存密度:8589934592 bit内存集成电路类型:DDR DRAM MODULE
内存宽度:64湿度敏感等级:1
功能数量:1端口数量:1
端子数量:184字数:134217728 words
字数代码:128000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:128MX64输出特性:3-STATE
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:DIMM
封装等效代码:DIMM184封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY峰值回流温度(摄氏度):225
电源:2.5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192自我刷新:YES
最大待机电流:0.048 A子类别:DRAMs
最大压摆率:4.32 mA最大供电电压 (Vsup):2.7 V
最小供电电压 (Vsup):2.3 V标称供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

EBD11UD8ABFB-7A 数据手册

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EBD11UD8ABFB  
Byte No. Function described  
Bit7 Bit6 Bit5 Bit4 Bit3 Bit2 Bit1 Bit0 Hex value  
Comments  
12ns  
Minimum row active to row active  
delay (tRRD)  
-6B  
28  
29  
30  
0
0
1
1
0
0
0
0
30H  
-7A, -7B  
0
0
0
0
1
1
1
0
0
1
0
1
1
1
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
3CH  
48H  
50H  
15ns  
18ns  
20ns  
Minimum /RAS to /CAS delay (tRCD)  
-6B  
-7A, -7B  
Minimum active to precharge time  
(tRAS)  
-6B  
0
0
1
0
1
0
1
0
2AH  
42ns  
-7A, -7B  
0
1
0
0
1
0
0
0
1
0
1
0
0
0
1
0
2DH  
80H  
45ns  
31  
32  
Module bank density  
512M bytes  
Address and command setup time  
before clock (tIS)  
-6B  
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
1
0
1
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
0
0
1
0
1
0
1
0
0
0
0
0
1
0
1
0
1
75H  
90H  
75H  
90H  
45H  
0.75ns*1  
0.9ns*1  
-7A, -7B  
Address and command hold time after  
clock (tIH)  
-6B  
33  
0.75ns*1  
0.9ns*1  
-7A, -7B  
Data input setup time before clock  
(tDS)  
-6B  
34  
35  
0.45ns*1  
-7A, -7B  
0
0
1
1
0
0
1
0
0
0
0
1
0
0
0
1
50H  
45H  
0.5ns*1  
Data input hold time after clock (tDH)  
-6B  
-7A, -7B  
0.45ns*1  
0
0
1
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
50H  
00H  
0.5ns*1  
36 to 40  
41  
Superset information  
Active command period (tRC)  
-6B  
Future use  
0
0
0
1
1
0
1
0
1
0
1
1
0
0
0
0
3CH  
44H  
60ns*1  
68ns*1  
-7A, -7B  
Auto refresh to active/  
Auto refresh command cycle (tRFC)  
-6B  
42  
0
1
0
0
1
0
0
0
48H  
75ns*1  
-7A, -7B  
0
0
1
0
0
1
0
1
1
0
0
0
1
0
1
0
4BH  
30H  
75ns*1  
12ns*1  
43  
44  
SDRAM tCK cycle max. (tCK max.)  
Dout to DQS skew  
-6B  
-7A, -7B  
Data hold skew (tQHS)  
-6B  
0
0
0
0
0
1
1
1
0
0
1
1
1
0
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
2DH  
32H  
55H  
450ps*1  
500ps*1  
550ps*1  
45  
-7A, -7B  
0
0
0
1
0
0
1
0
0
1
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
1
0
0
75H  
00H  
00H  
750ps*1  
46 to 61  
62  
Superset information  
SPD Revision  
Future use  
Checksum for bytes 0 to 62  
-6B  
63  
0
1
0
0
0
0
1
0
42H  
-7A  
1
0
1
0
1
1
1
0
1
0
1
1
0
1
0
1
FCH  
27H  
-7B  
Continuation  
code  
64 to 65  
Manufacturer’s JEDEC ID code  
0
1
1
1
1
1
1
1
7FH  
Preliminary Data Sheet E0296E20 (Ver. 2.0)  
6

与EBD11UD8ABFB-7A相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
EBD11UD8ABFB-7B ELPIDA 1GB Unbuffered DDR SDRAM DIMM

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EBD11UD8ADDA ELPIDA 1GB DDR SDRAM SO-DIMM (128M words x64 bits, 2 Ranks)

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EBD11UD8ADDA-6B ELPIDA 1GB DDR SDRAM SO-DIMM (128M words x64 bits, 2 Ranks)

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EBD11UD8ADDA-6B-E ELPIDA 1GB DDR SDRAM SO-DIMM (128M words x64 bits, 2 Ranks)

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EBD11UD8ADDA-7A ELPIDA 1GB DDR SDRAM SO-DIMM (128M words x64 bits, 2 Ranks)

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EBD11UD8ADDA-7A-E ELPIDA 1GB DDR SDRAM SO-DIMM (128M words x64 bits, 2 Ranks)

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