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Datasheet > 存储 > DRAM> EBD11UD8ABFB-7A
EBD11UD8ABFB-7A PDF预览

EBD11UD8ABFB-7A

更新时间： 2024-02-06 09:46:01
品牌 Logo 应用领域
尔必达 - ELPIDA 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
页数 文件大小 规格书
19页 207K
描述
1GB Unbuffered DDR SDRAM DIMM

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EBD11UD8ABFB-7A 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIMM包装说明：DIMM, DIMM184
针数：184Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.36
风险等级：5.92Is Samacsys：N
访问模式：DUAL BANK PAGE BURST最长访问时间：0.75 ns
其他特性：AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK)：133 MHz
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-XDMA-N184
内存密度：8589934592 bit内存集成电路类型：DDR DRAM MODULE
内存宽度：64湿度敏感等级：1
功能数量：1端口数量：1
端子数量：184字数：134217728 words
字数代码：128000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：128MX64输出特性：3-STATE
封装主体材料：UNSPECIFIED封装代码：DIMM
封装等效代码：DIMM184封装形状：RECTANGULAR
封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY峰值回流温度（摄氏度）：225
电源：2.5 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：8192自我刷新：YES
最大待机电流：0.048 A子类别：DRAMs
最大压摆率：4.32 mA最大供电电压 (Vsup)：2.7 V
最小供电电压 (Vsup)：2.3 V标称供电电压 (Vsup)：2.5 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：NO LEAD
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

EBD11UD8ABFB-7A 数据手册

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EBD11UD8ABFB  
Serial PD Matrix  
Byte No. Function described  
Bit7 Bit6 Bit5 Bit4 Bit3 Bit2 Bit1 Bit0 Hex value  
Comments  
128 bytes  
Number of bytes utilized by module  
0
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
80H  
08H  
manufacturer  
Total number of bytes in serial PD  
256 bytes  
device  
2
3
4
5
6
7
8
Memory type  
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
0
0
0
1
1
0
0
0
0
1
1
0
1
1
0
0
0
1
1
1
0
0
0
0
07H  
0DH  
0BH  
02H  
40H  
00H  
04H  
DDR SDRAM  
Number of row address  
Number of column address  
Number of DIMM banks  
Module data width  
13  
11  
2
64  
Module data width continuation  
0
Voltage interface level of this assembly 0  
SSTL2  
DDR SDRAM cycle time, CL = 2.5  
9
0
1
1
1
1
1
1
0
1
1
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
1
0
60H  
75H  
70H  
6.0ns*1  
7.5ns*1  
0.7ns*1  
-6B  
-7A, -7B  
SDRAM access from clock (tAC)  
-6B  
0
0
10  
-7A, -7B  
0
0
1
0
0
1
0
0
0
0
1
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
1
0
1
0
0
0
0
0
0
1
0
0
1
0
0
0
0
75H  
00H  
82H  
08H  
00H  
0.75ns*1  
None.  
7.6µs  
× 8  
11  
12  
13  
14  
DIMM configuration type  
Refresh rate/type  
Primary SDRAM width  
Error checking SDRAM width  
None.  
SDRAM device attributes:  
Minimum clock delay back-to-back  
column access  
15  
0
0
0
0
0
0
0
1
01H  
1 CLK  
SDRAM device attributes:  
16  
17  
18  
19  
20  
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
1
0
0
1
1
1
0
0
1
0
0
0
1
0
0
0
1
0
0EH  
04H  
0CH  
01H  
02H  
2,4,8  
Burst length supported  
SDRAM device attributes: Number of  
banks on SDRAM device  
SDRAM device attributes:  
/CAS latency  
SDRAM device attributes:  
/CS latency  
SDRAM device attributes:  
/WE latency  
4
2, 2.5  
0
1
Differential  
Clock  
VDD ± 0.2V  
21  
22  
23  
SDRAM module attributes  
0
1
0
1
0
1
1
0
1
0
1
1
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
1
0
20H  
C0H  
75H  
A0H  
SDRAM device attributes: General  
Minimum clock cycle time at CL = 2  
-6B, -7A  
7.5ns*1  
-7B  
10ns*1  
Maximum data access time (tAC) from  
24  
clock at CL = 2  
-6B  
0
1
1
1
0
0
0
0
70H  
0.7ns*1  
-7A, -7B  
0
0
1
0
1
0
1
0
0
0
1
0
0
0
1
0
75H  
00H  
0.75ns*1  
25 to 26  
27  
Minimum row precharge time (tRP)  
-6B  
-7A, -7B  
0
0
1
1
0
0
0
1
1
0
0
0
0
0
0
0
48H  
50H  
18ns  
20ns  
Preliminary Data Sheet E0296E20 (Ver. 2.0)  
5
12345678...19

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与EBD11UD8ABFB-7A相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
EBD11UD8ABFB-7B ELPIDA 1GB Unbuffered DDR SDRAM DIMM

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EBD11UD8ADDA ELPIDA 1GB DDR SDRAM SO-DIMM (128M words x64 bits, 2 Ranks)

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EBD11UD8ADDA-6B ELPIDA 1GB DDR SDRAM SO-DIMM (128M words x64 bits, 2 Ranks)

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EBD11UD8ADDA-6B-E ELPIDA 1GB DDR SDRAM SO-DIMM (128M words x64 bits, 2 Ranks)

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EBD11UD8ADDA-7A ELPIDA 1GB DDR SDRAM SO-DIMM (128M words x64 bits, 2 Ranks)

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