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EA30QS06-F

更新时间: 2024-01-21 20:43:47
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NIEC 整流二极管肖特基二极管瞄准线
页数 文件大小 规格书
6页 59K
描述
Surface Mounting, Schottky Barrier Diode

EA30QS06-F 技术参数

生命周期:Transferred零件包装代码:TO-252AA
包装说明:R-PSSO-G2针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.72
Is Samacsys:N其他特性:LOW POWER LOSS
应用:GENERAL PURPOSE外壳连接:CATHODE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):0.58 V
JEDEC-95代码:TO-252AAJESD-30 代码:R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流:45 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-40 °C
最大输出电流:1.3 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:60 V
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:YES
技术:SCHOTTKY端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLEBase Number Matches:1

EA30QS06-F 数据手册

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ピーク逆電流ꢀ-ꢀピーク逆電圧特性  
PEAK REVERSE CURRENT VS. PEAK REVERSE VOLTAGE  
Tj= 150 °C  
EA30QS06/EA30QS06-F  
200  
100  
50  
(mA)  
20  
0
10  
20  
30  
40  
50  
60  
70  
PEAK REVERSE VOLTAGE (V)  
ピꢀーꢀクꢀ逆ꢀ電ꢀ圧ꢀ(V)  
平ꢀ均ꢀ逆ꢀ電ꢀ力ꢀ損ꢀ失  
AVERAGE REVERSE POWER DISSIPATION  
EA30QS06/EA30QS06-F  
D.C.  
8
6
4
2
0
RECT 300°  
RECT 240°  
RECT 180°  
HALF SINE WAVE  
(W)  
0
10  
20  
30  
40  
50  
60  
70  
REVERSE VOLTAGE (V)  
逆ꢀ電ꢀ圧ꢀ(V)  

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