EA30QS10-F

更新时间： 2024-02-07 15:40:06

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NIEC		整流二极管肖特基二极管瞄准线
页数	文件大小	规格书
2页	34K
描述
Schottky Barrier Diode

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EA30QS10-F 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-252AA
包装说明：	R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.75
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW POWER LOSS
应用：	GENERAL PURPOSE	外壳连接：	CATHODE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.85 V
JEDEC-95代码：	TO-252AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流：	45 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-40 °C
最大输出电流：	1.6 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	100 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

EA30QS10-F 数据手册

SBD Type : EA30QS10-F

OUTLINE DRAWING

FEATURES

* TO-252AA Case, Surface Mounting Device

* Low Forward Voltage drop

* Low Power Loss

* High Surge Capability

* 40 Volts thru 100 Volts Types Available

* Packaged in 16mm Tape and Reel

Maximum Ratings

Approx Net Weight:0.30g

Symbol

V_RRM

EA30QS10-F

100

Unit

Rating

Repetitive Peak Reverse Voltage

P.C.Board

mounted *

Average Rectified

Output Current

1.6

Ta=34°C

50Hz Half Sine Wave

Resistive Load

I_O

3.0 Tc=133°C

RMS Forward Current

Surge Forward Current

I_F(RMS)

I_FSM

4.71

50Hz Half Sine Wave,1cycle,

Non-repetitive

Operating JunctionTemperature Range

Storage Temperature Range

Tjw

Tstg

- 40 to + 150

°C

Electrical • Thermal Characteristics

Characteristics

Peak Reverse Current

Peak Forward Voltage

Symbol

I_RM

V_FMTj=25°C,I_FM= 3 A

Rth(j-a) P.C.Board mounted *

Rth(j-c)

Conditions

Tj=25°C,V_RM=V_RRM

Min Typ Max Unit

1.0

0.85

Thermal

Resistance

Junction to Ambient

Junction to Case

80 °C/W

°C/W

* Print Land = 20x20 mm

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