EA30QS06-F

更新时间： 2024-02-22 12:55:26

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NIEC		整流二极管肖特基二极管瞄准线
页数	文件大小	规格书
6页	59K
描述
Surface Mounting, Schottky Barrier Diode

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EA30QS06-F 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-252AA
包装说明：	R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.72
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW POWER LOSS
应用：	GENERAL PURPOSE	外壳连接：	CATHODE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.58 V
JEDEC-95代码：	TO-252AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流：	45 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-40 °C
最大输出电流：	1.3 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	60 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

EA30QS06-F 数据手册

SBD Type：EA30QS06-F

■OUTLINE DRAWING

構造

：表面実装型、ショットキバリアダイオード(S B D)

Construction: Surface Mounting, Schottky Barrier Diode

用途

：高周波整流用

Application : High Frequency Rectification

■最大定格 / Maximum Ratings

Approx net Weight:0.30g

Symbol

V_RRM

V_RSM

EA30QS06-F

Unit

Rating

くり返しピーク逆電圧

Repetitive Peak Reverse Voltage

非くり返しピーク逆電圧

Non-repetitive Peak Reverse Voltage

P.C.Board

50 Hz、正弦半波通電抵抗負荷

Half Sine Wave Resistive

Load

平均整流電流

1.3

Ta=36℃

mounted *

Average Rectified

Output Current

I_O

3.0 Tc=123℃

実効順電流

I_F(RMS)

I_FSM

4.71

RMS Forward Current

サージ順電流

50 Hz 正弦半波, 1サイクル, 非くり返し

Half Sine Wave,1cycle,Non-repetitive

Surge Forward Current

動作接合温度範囲

Tjw

- 40 ～ + 150

℃

Operating JunctionTemperature Range

保存温度範囲

Tstg

Storage Temperature Range

■電気的・熱的特性 / Electrical ･ Thermal Characteristics

Characteristics

Symbol

I_RM

Conditions

Min. Typ. Max. Unit

ピーク逆電流

Peak Reverse Current

ピーク順電圧

Tj= 25 ℃, V_RM= V_RRM

V_FM

Tj= 25 ℃, I_FM= 3A

0.58

Peak Forward Voltage

接合部・周囲間

熱抵抗

Thermal

Resistance

Rth(j-a) P.C.Board mounted *

Rth(j-c)

80 ℃/W

℃/W

Junction to Ambient

接合部・ケース間

Junction to Case

* Print Land = 20 × 20 mm

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