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E43100N1FBC1S

更新时间: 2024-02-04 14:18:21
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 整流二极管桥式整流二极管
页数 文件大小 规格书
1页 25K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon,

E43100N1FBC1S 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:R-XXMA-X
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.92应用:POWER
配置:COMPLEX二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:R-XXMA-X
相数:1封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UNSPECIFIED处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED

E43100N1FBC1S 数据手册

  

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