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E25A2CPS

更新时间： 2024-09-17 22:35:39

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KEC		二极管电机 LTE
页数	文件大小	规格书
1页	61K
描述
STACK SILICON DIFFUSED DIODE (ALTERNATOR DIODE FOR AUTOMOTIVE)

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E25A2CPS 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-XUPF-P1
针数：	1	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.74	应用：	GENERAL PURPOSE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	O-XUPF-P1
最大非重复峰值正向电流：	250 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	1
最高工作温度：	200 °C	最低工作温度：	-40 °C
最大输出电流：	25 A	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	ROUND	封装形式：	PRESS FIT
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	200 V
最大反向恢复时间：	15 µs	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	UPPER
Base Number Matches：	1

E25A2CPS 数据手册

SEMICONDUCTOR

E25A2CPS, E25A2CPR

STACK SILICON DIFFUSED DIODE

TECHNICAL DATA

ALTERNATOR DIODE FOR AUTOMOTIVE APPLICATION.

FEATURES

ᴌAverage Forward Current : I_O=25A.

ᴌReverse Voltage : 200V(Min.)

POLARITY

E25A2CPS (+ Type)

E25A2CPR (- Type)

MAXIMUM RATING (Ta=25ᴱ)

DIM MILLIMETERS

CHARACTERISTIC

SYMBOL

RATING

UNIT

0.32

3.1

0.5

Φ11.7+0.1/-0

3.85+0/-0.2

Repetitive Peak

Reverse Voltage

Φ1.45 0.1

V_RRM

200

8.4 MAX

1.55

POLARITY MILLIMETERS

17.5+0/-1.5

DIM TYPE

1.35

Non-Repetitive Peak

Reverse Voltage

21.5+0/-1.5

P_RM

I_F(AV)

I_FSM

(Pulse duration 30ỌS

Non-repetitive)

Average Forward Current

Peak 1 Cycle Surge Current

250

(10mS Condition

Half sine wave 1 cycle)

T_j

Junction Temperature

-40ᴕ200

ᴱ

T_stg

Storage Temperature Range

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25ᴱ)

CHARACTERISTIC

Peak Forward Voltage

SYMBOL

V_FM

TEST CONDITION

MIN.

TYP.

MAX.

1.18

UNIT

I_FM=100A

200

V_RM

I_R=5mA

Reverse Voltage

I_RRM

t_rr

V_R=200V

Repetitive Peak Reverse Current

Reverse Recovery Time

ỌA

ỌS

I_F=-I_R100mA

I_FM=100A, Im=100mA,

Pt=100mS

Transient Thermal Resistance

ẤV_F

150

2.5

Reverse Leakage Current Under

High Temperature

HI_R

Ta=150ᴱ, V_R=V_RM

Junction to Case

Junction to Fin

0.93

1.13

R_th

Temperature Resistance

ᴱ/W

1998. 2. 19

Revision No : 0

1/1

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