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DZ1070N24K

更新时间： 2024-11-18 19:56:39

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英飞凌 - INFINEON		局域网二极管
页数	文件大小	规格书
10页	225K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1070A, 2400V V(RRM), Silicon, MODULE-2

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DZ1070N24K 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	R-XUFM-X2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.84
其他特性：	UL RECOGNIZED	应用：	GENERAL PURPOSE
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.52 V	JESD-30 代码：	R-XUFM-X2
最大非重复峰值正向电流：	35000 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-40 °C
最大输出电流：	1070 A	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压：	2400 V	最大反向电流：	150000 µA
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
Base Number Matches：	1

DZ1070N24K 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Dioden-Modul

Rectifier Diode Module

DZ1070N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Kenndaten

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

_PerE_iodil_se_chek_St_pr_itzi_es_nsc_peh_rrse_panE_nuni_ggenschaften _{T = -40°C... T}

1800

2200

2600

1900

2300

2700

2000 V

2400 V

2800 V

V_RRM

vj max

repetitive peak reverse voltages

Thermische Eigenschaften

2100 V

2500 V

2900 V

Stoßspitzensperrspannung

T_vj= +25°C... T_{vj max}

V_RSM

non-repetitive peak reverse voltage

1700 A

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

I_FRMSM

I_FAVM

I_FSM

1070 A

Dauergrenzstrom

average on-state current

T_C= 100 °C

41.000 A

35.000 A

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

8.405.000 A²s

6.125.000 A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

1,52 V

0,8 V

max.

T_vj= T_{vj max}, i_F= 3400 A

T_vj= T_{vj max}

v_F

on-state voltage

Schleusenspannung

threshold voltage

V_(TO)

r_T

0,17 mΩ

150 mA

Ersatzwiderstand

slope resistance

T_vj= T_{vj max}

max.

Sperrstrom

reverse current

T_vj= T_{vj max}, v_R= V_RRM

i_R

Isolations-Prüfspannung

RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min

V_ISOL

3,6

3,0

insulation test voltage

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand

thermal resistance, junction to case

pro Modul / per Module, Θ = 180° sin R_thJC

pro Modul / per Module, DC

max. 0,0450 °C/W

max. 0,0435 °C/W

pro Modul / per Module

max.

0,01 °C/W

160

Übergangs-Wärmewiderstand

R_thCH

T_{vj max}

T_{c op}

T_stg

thermal resistance, case to heatsink

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

maximum junction temperature

°C

Betriebstemperatur

operating temperature

- 40...+150 °C

Lagertemperatur

storage temperature

1) 2800V auf Anfrage/ 2800V on request

C. Drilling

date of publication: 06.05.03

prepared by:

revision:

approved by: M. Leifeld

BIP AC / 00-09-28, K.-A. Rüther

A21/00

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