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DVRN6056-7-F

更新时间： 2024-02-22 10:20:19
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5页 88K
描述
VOLTAGE REFERENCE ARRAY

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DVRN6056-7-F 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：19 weeks
风险等级：5.53最大集电极电流 (IC)：0.6 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小直流电流增益 (hFE)：40JESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：6
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.3 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHz最大关闭时间（toff）：255 ns
最大开启时间（吨）：35 nsBase Number Matches：1

DVRN6056-7-F 数据手册

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DVRN6056  
VOLTAGE REFERENCE ARRAY  
Features  
Mechanical Data  
•
•
•
•
Epitaxial Planar Die Construction  
•
•
Case: SOT-26  
Ideally Suited for Automated Assembly Processes  
Lead Free/RoHS Compliant Version (Notes 2 & 3)  
“Green” Device (Note 3)  
Case Material: Molded Plastic, “Green” Molding Compound  
(Note 3) UL Flammability Classification Rating 94V-0  
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020  
Terminal Connections: See Diagram  
Terminals: Matte Tin Finish annealed over Copper leadframe  
(Lead Free Plating). Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
•
•
•
•
•
•
Marking Information: See Page 4  
Ordering Information: See Page 4  
Weight: 0.008 grams (approximate)  
NC  
K1  
E1  
Z1  
Q1  
A1  
B1  
C1  
Top View  
Device Schematic  
Maximum Ratings, NPN Transistor Element (Q1) @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Value  
60  
Unit  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
40  
V
6.0  
V
Collector Current - Continuous  
(Note 1)  
600  
mA  
Maximum Ratings, Zener Element (Z1) @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
0.9  
V
Forward Voltage  
@ IF = 10mA  
VF  
Thermal Characteristics  
Characteristic  
Power Dissipation  
Symbol  
PD  
Value  
300  
Unit  
mW  
(Note 1)  
(Note 1)  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Operating and Storage Temperature Range  
417  
°C/W  
°C  
Rθ  
JA  
-55 to +150  
TJ, TSTG  
Notes:  
1. Part mounted on FR-4 board with recommended pad layout, which can be found on our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
2. No purposefully added lead.  
3. Product manufactured with date code WN (Week 45, 2009) and newer are built with Green Molding Compound and Lead-free plating. Product  
manufactured prior to date code WO are built with Tin-Lead plating, Non-Green Molding Compound and may contain Halogens or Sb2O3 Fire Retardants.  
1 of 5  
www.diodes.com  
March 2010  
© Diodes Incorporated  
DVRN6056  
Document number: DS30556 Rev. 5 - 2  
12345

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