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DV28120T

更新时间: 2024-02-16 09:32:51
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其他 - ETC 晶体晶体管
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4页 296K
描述
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 12A I(D) | SOT-119VAR

DV28120T 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
配置:Single最大漏极电流 (Abs) (ID):12 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:200 °C极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):240 W子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NOBase Number Matches:1

DV28120T 数据手册

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