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DUT1506S

更新时间： 2024-01-06 17:06:17

品牌	Logo	应用领域
MICROSS		功效二极管
页数	文件大小	规格书
6页	489K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 15A, 600V V(RRM), Gallium Arsenide, TO-276AB, SMD-3

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DUT1506S 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-276AB
包装说明：	SMD-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.44
其他特性：	LOW LEAKAGE CURRENT	应用：	EFFICIENCY
外壳连接：	ANODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	TO-276AB	JESD-30 代码：	R-XBCC-N3
最大非重复峰值正向电流：	150 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	260 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	15 A	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	600 V
最大反向恢复时间：	0.075 µs	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	BOTTOM
Base Number Matches：	1

DUT1506S 数据手册

August 2009

Preliminary

DUT1506 – 600V, 15A

HIGH EFFICIENCY, TEMPERATURE INDEPENDENT GaAs RECTIFIER DIODE

Features

General Description

ꢀ

High maximum junction temperature; up to

+260°C vs. +175°C for silicon diodes

The DUT1506 is a GaAs P-I-N Rectifier. It uses a

patented liquid phase epitaxy (LPE) construction

to provide temperature performance above current

Silicon, Silicon Carbide and Gallium Nitride

products of a similar specification. The device is

able to function stably well above the maximum T_J

of more traditional diodes of this type while

maintaining parity of performance in terms of key

parameters such as recovery time and forward

voltage.

Lower and temperature independent

dynamic recovery characteristics over the

full specified temperature range

Lower leakage current at all operating

temperatures

ꢀ

Very low capacitance

Package Types

Applications

ꢀ

High temperature electronics

Power Modules

Hybrid circuits

TO-257

TO-276AB (SMD)

BARE DIE

Thermal Characteristics

SYMBOL

PARAMETER

PACKAGE

TO-276Al

RATINGS

UNITS

°C/W

R_θJC

MAXIMUM THERMAL RESISTANCE, JUNCTION TO CASE

3.51

1.45

1.24

TO-257AlN

TO-276AB

TO-257Al / TO-257AlN

TO-276AB

BARE DIE (3.1mm²)

ORDERING

PART #

PACKAGE

TEMP RANGE

DUT1506AL

TO-257Al

-65 TO 260°C

2 3

1. CATHODE

2. ANODE

DUT1506ALN TO-257AlN

1. ANODE

2. COMMON CATHODE

3. COMMON CATHODE

(DIE BACKSIDE)

DUT1506S

TO-276AB

BARE DIE

DUT1506-AG

DUT1506-GG BARE DIE

Europe: sales@mintech.co.uk

USA : ussales@mintech.co.uk

CATHODE

ANODE

CATHODE

China: chinasales@mintech.co.uk

Rev. 1.4 7^thAugust 2009

www.mintech.co.uk

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DUT1507-AG	MICROSS	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 15A, 700V V(RRM), Gallium Arsenide, 3.1 X 3.1 MM, DIE
DUT1507AL	MICROSS	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 15A, 700V V(RRM), Gallium Arsenide, TO-257AA, TO-257A
DUT1507ALN	MICROSS	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 15A, 700V V(RRM), Gallium Arsenide, TO-257AA, TO-257A
DUT1507-GG	MICROSS	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 15A, 700V V(RRM), Gallium Arsenide, 3.1 X 3.1 MM, DIE
DUT1507S	MICROSS	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 15A, 700V V(RRM), Gallium Arsenide, TO-276AB, SMD-3
DUT1508-AG	MICROSS	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 15A, 800V V(RRM), Gallium Arsenide, 3.1 X 3.1 MM, DIE
DUT1508AL	MICROSS	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 15A, 800V V(RRM), Gallium Arsenide, TO-257AA, TO-257A
DUT1508ALN	MICROSS	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 15A, 800V V(RRM), Gallium Arsenide, TO-257AA, TO-257A
DUT1508-GG	MICROSS	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 15A, 800V V(RRM), Gallium Arsenide, 3.1 X 3.1 MM, DIE
DUT1508S	MICROSS	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 15A, 800V V(RRM), Gallium Arsenide, TO-276AB, SMD-3

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