DTC124EET1

更新时间： 2024-01-24 23:31:19

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安森美 - ONSEMI		晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
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12页	191K
描述
NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTORS

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DTC124EET1 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
零件包装代码：	SC-75	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	0.93	其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	60
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

DTC124EET1 数据手册

DTC114EET1 SERIES

TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS — DTC124EET1

1000

= 10 V

I /I = 10

C B

T =75°C

25°C

T = –25°C

0.1

–25°C

75°C

100

0.01

0.001

100

I , COLLECTOR CURRENT (mA)

Figure 8. V_CE(sat)versus I_C

Figure 9. DC Current Gain

100

75°C

25°C

f = 1 MHz

I = 0 V

T = 25°C

T = –25°C

0.1

0.01

V = 5 V

0.001

V , REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)

V , INPUT VOLTAGE (VOLTS)

Figure 10. Output Capacitance

Figure 11. Output Current versus Input Voltage

100

V = 0.2 V

T = –25°C

25°C

75°C

0.1

I , COLLECTOR CURRENT (mA)

Figure 12. Input Voltage versus Output

Current

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