DTC124EET1

更新时间： 2024-01-27 15:10:09

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安森美 - ONSEMI		晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
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12页	191K
描述
NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTORS

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DTC124EET1 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
零件包装代码：	SC-75	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	0.93	其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	60
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

DTC124EET1 数据手册

DTC114EET1 SERIES

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Total Device Dissipation,

(1.)

FR–4 Board

@ T = 25°C

200

1.6

mW/°C

Derate above 25°C

(1.)

(2.)

Thermal Resistance, Junction to Ambient

600

°C/W

Total Device Dissipation,

(2.)

FR–4 Board

@ T = 25°C

300

2.4

mW/°C

Derate above 25°C

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Junction and Storage Temperature Range

400

°C/W

°C

T , T

–55 to +150

stg

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)

Characteristic

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector–Base Cutoff Current (V = 50 V, I = 0)

—

100

500

nAdc

mAdc

CBO

Collector–Emitter Cutoff Current (V = 50 V, I = 0)

CEO

Emitter–Base Cutoff Current

(V = 6.0 V, I = 0)

DTC114EET1

DTC124EET1

DTC144EET1

DTC114YET1

DTC143TET1

DTC123EET1

DTC143EET1

DTC143ZET1

DTC124XET1

DTC123JET1

—

0.5

0.2

0.1

0.2

1.9

2.3

1.5

0.18

0.13

0.2

EBO

Collector–Base Breakdown Voltage (I = 10 µA, I = 0)

—

Vdc

(BR)CBO

(3.)

Collector–Emitter Breakdown Voltage

ON CHARACTERISTICS ^(3.)

DC Current Gain

(I = 2.0 mA, I = 0)

(BR)CEO

DTC114EET1

DTC124EET1

DTC144EET1

DTC114YET1

DTC143TET1

DTC123EET1

DTC143EET1

DTC143ZET1

DTC124XET1

DTC123JET1

160

8.0

—

(V = 10 V, I = 5.0 mA)

100

140

350

200

150

140

Collector–Emitter Saturation Voltage (I = 10 mA, I = 0.3 mA)

CE(sat)

—

0.25

Vdc

(I = 10 mA, I = 5 mA) DTC123EET1

(I = 10 mA, I = 1 mA) DTC143TET1

DTC143ZET1/DTC124XET1

Output Voltage (on)

(V = 5.0 V, V = 2.5 V, R = 1.0 kΩ)

DTC114EET1

DTC124EET1

DTC114YET1

DTC143TET1

DTC123EET1

DTC143EET1

DTC143ZET1

DTC124XET1

DTC123JET1

DTC144EET1

—

0.2

(V = 5.0 V, V = 3.5 V, R = 1.0 kΩ)

1. FR–4 @ Minimum Pad

2. FR–4 @ 1.0 × 1.0 Inch Pad

3. Pulse Test: Pulse Width < 300 µs, Duty Cycle < 2.0%

http://onsemi.com

123 4 5 6 7...12

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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