DTC123JE

更新时间： 2024-01-02 12:43:06

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WEITRON		晶体小信号双极晶体管
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13页	430K
描述
Bias Resistor Transistor NPN Silicon

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DTC123JE 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.57
Is Samacsys：	N	其他特性：	DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.5
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	33
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	BIP General Purpose Small Signal	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

DTC123JE 数据手册

DTC114EE Series

Bias Resistor Transistor NPN Silicon

P b

Lead(Pb)-Free

COLLECTOR

BASE

SC-89

(SOT-523F)

EMITTER

Maximum Ratings (TA=25°C unless otherwise noted)

Rating

Symbol

Value

Unit

Collector-Emitter Voltage

CEO

CBO

Collector-Base Voltage

100

Collector Current-Continuous

Thermal Characteristics

Characteristics

Symbol

Max

Unit

Total Device Dissipation FR-5 Board

FR-4 Board⁽¹⁾T =25˚C

200

1.6

mW/ ˚C

Derate above 25˚C

Thermal Resistance, Junction to Ambient⁽¹⁾

600

˚C/W

θJA

Total Device Dissipation FR-5 Board

FR-4 Board⁽²⁾T =25˚C

300

2.4

mW/ ˚C

Derate above 25˚C

Thermal Resistance, Junction to Ambient⁽²⁾

Junction Temperature Range

400

˚C/W

˚C

θJA

-55 to +150

Storage Temperature Range

Tstg

˚C

1.FR-4 @ Minimum pad

2.FR-4 @1.0 x 1.0 Inch pad

Device Marking and ResistorValues

Device

Marking

R1(K)

R2(K)

Device

Marking

R1(K)

R2(K)

DTC114EE

DTC123EE

2.2

4.7

DTC143EE

DTC143ZE

DTC124XE

DTC123JE

DTC115EE

DTC144WE

4.7

2.2

100

DTC124EE

DTC144EE

DTC114YE

DTC114TE

DTC143TE

4.7

100

WEITRON

http://www.weitron.com.tw

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12-Jun-06

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