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DTC123EE

更新时间: 2024-01-08 05:14:29
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体数字晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 127K
描述
Digital Transistors (BRT) R1 = 2.2 k, R2 = 2.2 k

DTC123EE 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Obsolete
包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.57
Is Samacsys:N其他特性:DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.5
最大集电极电流 (IC):0.1 A集电极-发射极最大电压:50 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE):33
JESD-30 代码:R-PSIP-T3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.3 W认证状态:Not Qualified
子类别:BIP General Purpose Small Signal表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

DTC123EE 数据手册

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MUN2231, MMUN2231L, MUN5231, DTC123EE, DTC123EM3  
PACKAGE DIMENSIONS  
SC59  
CASE 318D04  
ISSUE H  
D
NOTES:  
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982.  
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.  
MILLIMETERS  
INCHES  
3
DIM  
A
A1  
b
c
D
E
e
L
MIN  
1.00  
0.01  
0.35  
0.09  
2.70  
1.30  
1.70  
0.20  
2.50  
NOM  
1.15  
0.06  
0.43  
0.14  
2.90  
1.50  
1.90  
0.40  
2.80  
MAX  
MIN  
NOM  
0.045  
0.002  
0.017  
0.005  
0.114  
0.059  
0.075  
0.016  
0.110  
MAX  
0.051  
0.004  
0.020  
0.007  
0.122  
0.067  
0.083  
0.024  
0.118  
E
1.30  
0.10  
0.50  
0.18  
3.10  
1.70  
2.10  
0.60  
3.00  
0.039  
0.001  
0.014  
0.003  
0.106  
0.051  
0.067  
0.008  
0.099  
H
E
1
2
b
e
H
E
STYLE 1:  
PIN 1. BASE  
2. EMITTER  
3. COLLECTOR  
C
A
L
A1  
SOLDERING FOOTPRINT*  
0.95  
0.037  
0.95  
0.037  
2.4  
0.094  
1.0  
0.039  
0.8  
0.031  
mm  
inches  
ǒ
Ǔ
SCALE 10:1  
*For additional information on our PbFree strategy and soldering  
details, please download the ON Semiconductor Soldering and  
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.  
http://onsemi.com  
6

DTC123EE 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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