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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> DSS5240V-7
DSS5240V-7 PDF预览

DSS5240V-7

更新时间： 2024-11-14 09:57:47
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体小信号双极晶体管光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
5页 167K
描述
LOW VCE(SAT) PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR

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DSS5240V-7 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：12 weeks
风险等级：1.67Samacsys Confidence：
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：581941
Samacsys Pin Count：6Samacsys Part Category：Undefined or Miscellaneous
Samacsys Package Category：OtherSamacsys Footprint Name：SOT50P170X60-6N
Samacsys Released Date：2017-01-11 16:09:24Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：1.8 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：50
JESD-30 代码：R-PDSO-F6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：6最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.6 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：150 MHzBase Number Matches：1

DSS5240V-7 数据手册

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DSS5240V  
LOW VCE(SAT) PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR  
Features  
Mechanical Data  
•
•
•
•
•
•
•
Epitaxial Planar Die Construction  
•
•
Case: SOT-563  
Complementary NPN Type Available (DSS4240V)  
Low Collector-Emitter Saturation Voltage, VCE(SAT)  
Surface Mount Package Suited for Automated Assembly  
Ultra-Small Surface Mount Package  
Lead Free/RoHS Compliant (Note 1)  
"Green Device" (Note 2)  
Case Material: Molded Plastic, “Green” Molding Compound. UL  
Flammability Classification Rating 94V-0  
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020D  
Terminals: Finish ⎯ Matte Tin annealed over Copper leadframe.  
Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
Marking Information: See Page 4  
Ordering Information: See Page 4  
Weight: 0.003 grams (approximate)  
•
•
•
•
•
1, 2, 5, 6  
6
5
2
4
3
3
1
4
Bottom View  
Device Schematic  
Pin Out Configuration  
Top View  
Maximum Ratings @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Collector-Base Voltage  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Value  
Unit  
V
-40  
-40  
-5  
Collector-Emitter Voltage  
V
Emitter-Base Voltage  
V
Collector Current - Continuous  
Peak Repetitive Collector Current (Note 3)  
Peak Pulse Collector Current  
Base Current (DC)  
-1.8  
-2  
A
A
ICRP  
ICM  
-3  
A
-300  
-1  
mA  
A
IB  
Peak Base Current  
IBM  
Thermal Characteristics  
Characteristic  
Power Dissipation (Note 4) @ TA = 25°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 4) @ TA = 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
Symbol  
PD  
Value  
600  
Unit  
mW  
°C/W  
°C  
208  
Rθ  
JA  
-55 to +150  
TJ, TSTG  
Notes:  
1. No purposefully added lead.  
2. Diode’s Inc.’s “Green” policy can be found on our website at http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php.  
3. Operated under pulse conditions: duty cycle ≤ 20%, pulse width tp ≤ 30ms.  
4. Device mounted on FR-4 PCB with minimum recommended pad layout.  
1 of 5  
www.diodes.com  
March 2009  
© Diodes Incorporated  
DSS5240V  
Document number: DS31673 Rev. 2 - 2  
12345

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