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DSM3MA4

更新时间： 2024-02-29 20:15:47

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日立 - HITACHI		/
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3页	37K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon

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DSM3MA4 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	R-PDSO-C2
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.54	应用：	GENERAL PURPOSE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1 V
JESD-30 代码：	R-PDSO-C2	最大非重复峰值正向电流：	80 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	3 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	400 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
端子形式：	C BEND	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

DSM3MA4 数据手册

GENERAL-USE RECTIFIER DIODE

DSM3MA

FEATURES

OUTLINE DRAWING

• For general purpose

Unit in mm(inch)

Direction of polarity

• High heat-resistant due to glass passivation.

Type mark

Cathode band

Lot mark

0.2MAX

(0.008)

2.5

7.0

(0.1)

(0.28)

7.6

(0.3)

1.4

(0.06)

Weight: 0.16 (g)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

DSM3MA1

100

DSM3MA2

200

DSM3MA4

400

Items

Type

Repetitive Peak Reverse Voltage

V_RRM

I_F(AV)

Single-phase half sine wave 180° conduction

TL = 108°C

Average Forward Current

3.0

(

)

80( Without PIV, 10ms, conduction Tj = 40°C start )

25.6( Time = 2 ~ 10ms, I = RMS value )

-40 ~ +150

Surge(Non-Repetitive) Forward Current

I²t Limit Value

I_FSM

I²t

A²s

°C

Operating Junction Temperature

Storage Temperature

T_j

T_stg

-40 ~ +150

CHARACTERISTICS(T_L=25°C)

Symbols

I_RRM

Items

Units

Min. Typ. Max.

Test Conditions

DSM3MA1,2

DSM3MA4

Peak Reverse Current

µA

Rated V_RRM

I_FM=3.0Ap, Single-phase half sine

wave 1 cycle

Peak Forward Voltage

V_FM

1.0

R_th(j-a)

R_th(j-l)

On glass-epoxi substrate (

Soldering land ( 10mm)

50mm)

°C/W

Steady State Thermal Impedance

PDE-DSM3MA-0

12 3

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