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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | HERMETIC SEALED, DO-35, 2 PIN |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.55 |
| 其他特性： | METALLURGICALLY BONDED | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JEDEC-95代码： | DO-35 |
| JESD-30 代码： | O-XALF-W2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 0.2 A | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 20 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | SCHOTTKY | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DSB0.2A20-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 20V V(RRM), |
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| DSB0.2A20E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 20V V(RRM), Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED, D |
|
| DSB0.2A30 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED, D |
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| DSB0.2A30 | NJSEMI |
获取价格 |
Diode Schottky 30V 0.2A 2-Pin DO-35 |
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| DSB0.2A30-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), |
|
| DSB0.2A30E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED, D |
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| DSB0.2A40 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 40V V(RRM), Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED, D |
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| DSB0.2A40 | NJSEMI |
获取价格 |
Diode Schottky 40V 0.2A 2-Pin DO-35 |
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| DSB0.2A40-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 40V V(RRM), |
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| DSB0.2A40E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 40V V(RRM), Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED, D |
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