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DSA9005S0L PDF预览

DSA9005S0L

更新时间： 2024-09-30 19:25:59
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 498K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, HALOGEN FREE, SSMINI3-F3-B, 3 PIN

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DSA9005S0L 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.73最大集电极电流 (IC)：0.2 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：200JESD-30 代码：R-PDSO-F3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.125 W
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：150 MHzBase Number Matches：1

DSA9005S0L 数据手册

 浏览型号DSA9005S0L的Datasheet PDF文件第2页浏览型号DSA9005S0L的Datasheet PDF文件第3页 
DSA9005  
Silicon PNP epitaxial planar type  
For general amplification  
Complementary to DSC9005  
DSA5005 in SSMini3 type package  
Features  
Package  
Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat)  
ꢀCode  
Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count.  
High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity  
Eco-friendly Halogen-free package  
SSMini3-F3-B  
Package dimension clicks here.→  
Click!  
Packaging  
ꢀPin Name  
1. Base  
DSA9005×0L Embossed type (Thermo-compression sealing): 3000 pcs / reel (standard)  
2. Emitter  
3. Collector  
Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
Parameter  
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Emitter-base voltage (Collector open)  
Collector current  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Rating  
–60  
Unit  
V
Marking Symbol: A3  
–50  
V
–6  
V
–200  
–300  
125  
mA  
mA  
mW  
°C  
Peak collector current  
ICP  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
PC  
Tj  
150  
Storage temperature  
T
stg  
–55 to +150  
°C  
Electrical Characteristics Ta = 25°C±3°C  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
V
Collector-emitter voltage (Base open)  
Collector-base cutoff current (Emitter open)  
Emitter-base cutoff current (Collector open)  
VCEO IC = –100 mA, IB = 0  
–50  
ICBO  
IEBO  
hFE1  
hFE2  
VCB = –60 V, IE = 0  
– 0.1  
– 0.1  
390  
mA  
mA  
VEB = –6 V, IC = 0  
VCE = –6 V, IC = –1 mA  
VCE = –6 V, IC = – 0.1 mA  
150  
90  
Forward current transfer ratio *  
Collector-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
VCE(sat) IC = –100 mA, IB = –10 mA  
– 0.3  
V
fT  
VCE = –6 V, IC = –10 mA  
150  
5.0  
MHz  
Collector output capacitance  
Cob  
VCB = –6 V, IE = 0, f = 1 MHz  
pF  
(Common base, input open circuited)  
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
2. : Rank classification  
*
Code  
Rank  
R
R
S
S
0
No-rank  
150 to 390  
A3  
hFE1  
150 to 270  
A3R  
200 to 390  
A3S  
Marking Symbol  
Product of no-rank is not classified and have no marking symbol for rank.  
Publication date: February 2012  
Ver. AED  
1
123

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