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DSA2G0100L

更新时间： 2024-01-11 23:35:07

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	756K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SSSMINI3-F2-B, SC-105AA, 3 PIN

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DSA2G0100L 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.73
最大集电极电流 (IC)：	0.03 A	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	70
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	300 MHz	Base Number Matches：	1

DSA2G0100L 数据手册

DSA2G01

P_C T

I_C V_CE

h_FE I_C

−50

−40

−30

−20

−10

300

250

200

150

100

250

200

_CE= −10 V

T_a= 25°C

T_a= 85°C

_B= −500 µA −450 µA

−400 µA

−350 µA

150

100

−300 µA

−250 µA

−200 µA

−150 µA

−100 µA

25°C

−40°C

−50 µA

−

10²

−2

−4

−6

−8 −10 −12

−1

−10

120

160

200

(

)

Ambient temperature T_a°C

Collector-emitter voltage V_CE(V)

Collector current I_C(mA)

V_CE(sat) I_C

I_C V_BE

C_ob V_CB

−10

−1

−40

I_C/ I_B= 10

I_E= 0

_CE= −10 V

f =1 MHz

T_a= 25°C

25°C

−30

−20

−10

T_a= 85°C

−40°C

T_a= 85°C

−10⁻¹

−40°C

25°C

−1

−10⁻²

−10⁻¹

−10

−10²

− 0.4

− 0.8

−1.2

−10

−10²

Base-emitter voltage V_BE(V)

Collector current I_C(mA)

Collector-base voltage V_CB(V)

f_T I_C

350

300

250

200

150

100

V_CE= −10 V

_a= 25°C

−

10⁻

−1

−10

−

10²

Collector current I_C(mA)

Ver. CED

123 4

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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