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DSA2I100SB PDF预览

DSA2I100SB

更新时间： 2024-09-19 19:53:31
品牌 Logo 应用领域
IXYS 光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 94K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN

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DSA2I100SB 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：DO-214AA
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.56
其他特性：FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY, LOW NOISE应用：POWER
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：DO-214AA
JESD-30 代码：R-PDSO-C2最大非重复峰值正向电流：75 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：2 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：100 V
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

DSA2I100SB 数据手册

 浏览型号DSA2I100SB的Datasheet PDF文件第2页 
DSA 2 I 100 SB  
advanced  
VRRM  
IFAV  
=
=
100 V  
2 A  
Schottky  
High Performance Schottky Diode  
Low Loss and Soft Recovery  
Single Diode  
VF = 0.65 V  
(Marking on product)  
Part number  
DSA 2 I 100 SB  
(S2KAB)  
Features / Advantages:  
Applications:  
Package:  
● Very low Vf  
● Extremely low switching losses  
● Low Irm-values  
● Improved thermal behaviour  
● High reliability circuit operation  
● Low voltage peaks for reduced  
protection circuits  
● Rectifiers in switch mode power  
supplies (SMPS)  
● Free wheeling diode in low voltage  
converters  
SMB (DO-214AA)  
● Industry standard outline  
● Epoxy meets UL 94V-0  
● RoHS compliant  
● Decoupling diode  
● Low noise switching  
● Low losses  
R a t i n g s  
Unit  
Symbol  
VRRM  
Definition  
Conditions  
min.  
typ.  
max.  
max. repetitive reverse voltage  
=
=
25 °C  
25 °C  
100  
V
TVJ  
reverse current  
forward voltage  
IR  
VR = 100 V  
VR = 100 V  
0.01  
5
TVJ  
TVJ  
mA  
mA  
= 125 °C  
IF  
IF  
=
=
2 A  
4 A  
0.79  
0.87  
VF  
V
V
TVJ  
TVJ  
=
=
25°C  
IF  
IF  
=
=
2 A  
4 A  
0.65  
0.75  
V
V
125  
°C  
average forward current  
threshold voltage  
IFAV  
rectangular, d = 0.5  
TL = 125 °C  
TL = 175 °C  
2
A
V
V
F0  
for power loss calculation only  
slope resistance  
r F  
m
Ω
thermal resistance junction to lead*  
virtual junction temperature  
total power dissipation  
RthJL  
TVJ  
25  
175  
6
K/W  
°C  
-55  
Ptot  
=
25 °C  
W
TL  
max. forward surge current  
junction capacitance  
IFSM  
CJ  
tp = 10 ms (50 Hz), sine  
VR = 5V; f = 1 MHz  
TVJ  
TVJ  
TVJ  
=
=
=
45 °C  
25°C  
25 °C  
75  
85  
A
pF  
mJ  
A
non-repetitive avalanche energy  
repetitive avalanche current  
EAS  
IAR  
IAS  
=
A; L = 100 µH  
f = 10 kHz  
tbd  
tbd  
V = 1.5·V typ.;  
R
A
* mounted on 1 inch square PCB  
IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.  
Data according to IEC 60747 and per diode unless otherwise specified  
© 2006 IXYS all rights reserved  
12

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