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DSA3001

更新时间： 2024-02-09 14:06:07

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	505K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, SSSMINI3-F2-B, 3 PIN

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DSA3001 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.77	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	210	JESD-30 代码：	R-PDSO-F3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

DSA3001 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

DSA3001

Silicon PNP epitaxial planar type

For general ampliﬁcation

Complementary to DSC3001

DSA9001 in SSSMini3 type package

 Package

ꢀCode

 Features

 High forward current transfer ratio h_FEwith excellent linearity

 Low collector-emitter saturation voltage V_CE(sat)

 Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count.

 Eco-friendly Halogen-free package

SSSMini3-F2-B

ꢀPin Name

1. Base

2. Emitter

3. Collector

 Packaging

Embossed type (Thermo-compression sealing): 10000 pcs / reel (standard)

 Marking Symbol: A1

 Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector current

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Rating

–60

Unit

–50

–7

–100

–200

100

°C

Peak collector current

I_CP

Collector power dissipation

Junction temperature

P_C

T_j

150

Storage temperature

stg

–55 to +150

°C

 Electrical Characteristics T_a= 25°C±3°C

Parameter

Symbol

Conditions

Min

–60

–50

–7

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Collector-emitter cutoff current (Base open)

Forward current transfer ratio

V_CBOI_C= –10 mA, I_E= 0

V_CEOI_C= –2 mA, I_B= 0

V_EBOI_E= –10 mA, I_C= 0

I_CBO

I_CEO

h_FE

V_CB= –20 V, I_E= 0

V_CE= –10 V, I_B= 0

V_CE= –10 V, I_C= –2 mA

– 0.1

–100

460



210

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CE(sat)I_C= –100 mA, I_B= –10 mA

– 0.2

150

– 0.5

f_T

V_CE= –10 V, I_C= –2 mA

MHz

Collector output capacitance

C_ob

V_CB= –10 V, I_E= 0, f = 1 MHz

(Common base, input open circuited)

Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

Publication date: January 2011

Ver. CED

12 3 4

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与DSA3001相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
DSA300100L	PANASONIC	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HALOGEN	获取价格
DSA3005	PANASONIC	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, LEAD FR	获取价格
DSA300I100NA	IXYS	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 300A, 100V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT,	获取价格
DSA300I200NA	IXYS	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 300A, 200V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT,	获取价格
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