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DS90LV027ATM PDF预览

DS90LV027ATM

更新时间： 2024-01-27 06:27:08
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 驱动光电二极管接口集成电路驱动器
页数 文件大小 规格书
24页 760K
描述
600Mbps LVDS 双路高速差动驱动器 | D | 8 | -40 to 85

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DS90LV027ATM 技术参数

生命周期：Not Recommended零件包装代码：SOIC
包装说明：SOP, SOP8,.25针数：8
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：7.75
差分输出：YES驱动器位数：2
高电平输入电流最大值：0.00001 A输入特性：STANDARD
接口集成电路类型：LINE DRIVER接口标准：EIA-644; TIA-644
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e0
长度：4.9 mm湿度敏感等级：1
功能数量：2端子数量：8
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
最小输出摆幅：0.25 V输出特性：DIFFERENTIAL
输出极性：COMPLEMENTARY封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装等效代码：SOP8,.25
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：235电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified最大接收延迟：
座面最大高度：1.75 mm子类别：Line Driver or Receivers
最大供电电压：3.6 V最小供电电压：3 V
标称供电电压：3.3 V电源电压1-最大：3.6 V
电源电压1-分钟：3 V电源电压1-Nom：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
最大传输延迟：1.5 ns宽度：3.9 mm
Base Number Matches：1

DS90LV027ATM 数据手册

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DS90LV027A  
SNLS026D –MARCH 2000–REVISED JUNE 2016  
www.ti.com  
6 Specifications  
6.1 Absolute Maximum Ratings  
over operating free-air temperature range (unless otherwise noted)(1)  
MIN  
–0.3  
–0.3  
–0.3  
MAX  
4
UNIT  
V
Supply voltage, VCC  
Input voltage, DI  
Output voltage, DO±  
D package  
3.6  
V
3.9  
V
1190  
mW  
Maximum package power dissipation at 25°C  
Derate D package  
9.5 mW/°C  
above 25°C  
°C  
Lead temperature range, soldering (4 s)  
Storage temperature, Tstg  
260  
150  
°C  
°C  
–65  
(1) Stresses beyond those listed under Absolute Maximum Ratings may cause permanent damage to the device. These are stress ratings  
only, which do not imply functional operation of the device at these or any other conditions beyond those indicated under Recommended  
Operating Conditions. Exposure to absolute-maximum-rated conditions for extended periods may affect device reliability.  
6.2 ESD Ratings  
VALUE  
±8000  
±1000  
±1000  
±4000  
UNIT  
Human-body model (HBM), per ANSI/ESDA/JEDEC JS-001(1)  
Charged-device model (CDM), per JEDEC specification JESD22-C101(2)  
EIAJ, 0 Ω, 200 pF  
V(ESD)  
Electrostatic discharge  
V
IEC direct, 330 Ω, 150 pF  
(1) JEDEC document JEP155 states that 500-V HBM allows safe manufacturing with a standard ESD control process.  
(2) JEDEC document JEP157 states that 250-V CDM allows safe manufacturing with a standard ESD control process.  
6.3 Recommended Operating Conditions  
over operating free-air temperature range (unless otherwise noted)  
MIN  
3
NOM  
3.3  
MAX  
3.6  
UNIT  
VCC  
TA  
Supply voltage  
V
Operating free-air temperature  
–40  
25  
85  
°C  
6.4 Thermal Information  
DS90LV027A  
D (SOIC)  
8 PINS  
212  
THERMAL METRIC(1)  
UNIT  
Low-K thermal resistance(2)  
High-K thermal resistance(2)  
RθJA  
Junction-to-ambient thermal resistance  
°C/W  
112  
RθJC(top)  
RθJB  
Junction-to-case (top) thermal resistance  
Junction-to-board thermal resistance  
69.1  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
47.7  
ψJT  
Junction-to-top characterization parameter  
Junction-to-board characterization parameter  
Junction-to-case (bottom) thermal resistance  
15.2  
ψJB  
47.2  
RθJC(bot)  
—
(1) For more information about traditional and new thermal metrics, see the Semiconductor and IC Package Thermal Metrics application  
report.  
(2) Tested in accordance with the Low-K or High-K thermal metric definitions of EIA/JESD51-3 for leaded surface-mount packages.  
4
Submit Documentation Feedback  
Copyright © 2000–2016, Texas Instruments Incorporated  
Product Folder Links: DS90LV027A  
1234567...24

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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