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DS1380S

更新时间: 2024-09-29 21:09:43
品牌 Logo 应用领域
达拉斯 - DALLAS 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
3页 135K
描述
Non-Volatile SRAM Module, 2KX8, 100ns, CMOS, PDSO24,

DS1380S 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.88
最长访问时间:100 ns其他特性:DATA RETENTION > 10 YEARS
JESD-30 代码:R-PDSO-G24JESD-609代码:e0
内存密度:16384 bit内存集成电路类型:NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:24字数:2048 words
字数代码:2000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:2KX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装等效代码:SOP24,.4
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.007 A
子类别:SRAMs最大压摆率:0.025 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

DS1380S 数据手册

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