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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | SOIC | 针数： | 16 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.75 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G16 | JESD-609代码： | e0 |
| 端子数量： | 16 | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | |
| 封装代码： | SOP | 封装等效代码： | SOP16,.4 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Power Management Circuits | 最大供电电流 (Isup)： | 80 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DS1235AB | DALLAS |
获取价格 |
256K Nonvolatille SRAM |
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| DS1235AB-120 | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
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| DS1235AB-150 | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
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| DS1235AB-200 | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
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| DS1235ABW100 | DALLAS |
获取价格 |
Memory IC, |
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| DS1235ABW120 | DALLAS |
获取价格 |
Memory IC, |
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| DS1235Y | DALLAS |
获取价格 |
256K Nonvolatille SRAM |
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| DS1235Y-100 | MAXIM |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, 0.720 INCH, ENCAPSULATED PACKAGE, 28 PIN |
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| DS1235Y-120 | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
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| DS1235Y-150 | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
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