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DS1075M

更新时间: 2024-01-04 03:03:34
品牌 Logo 应用领域
达拉斯 - DALLAS /
页数 文件大小 规格书
18页 251K
描述
Microprocessor Circuit, CMOS, PDIP8, 0.300 INCH, DIP-8

DS1075M 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOIC包装说明:SOP,
针数:8Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.65JESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e0长度:4.9 mm
湿度敏感等级:1端子数量:8
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):240认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.75 mm最大供电电压:5.25 V
最小供电电压:4.75 V标称供电电压:5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:TIN LEAD
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:3.9 mmuPs/uCs/外围集成电路类型:MICROPROCESSOR CIRCUIT
Base Number Matches:1

DS1075M 数据手册

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DS1075  
DATA SHEET REVISION SUMMARY  
The following represent the key differences between 11/16/97 and 05/01/97 version of the DS1075 data  
sheet. Please review this summary carefully.  
1. Page 1, description, second paragraph. Word change  
2. Page 14, AC electrical characteristic. Add Long Term Stability and new spec.  
The following represent the key differences between 05/01/97 and 10/15/97 version of the DS1075 data  
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