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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DIP | 包装说明： | 0.300 INCH, DIP-8 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| HTS代码： | 8542.39.00.01 | 风险等级： | 5.67 |
| 系列： | CMOS/TTL | 输入频率最大值（fmax）： | 4.16667 MHz |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T8 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 9.375 mm | 逻辑集成电路类型： | SILICON DELAY LINE |
| 功能数量： | 1 | 抽头/阶步数： | 5 |
| 端子数量： | 8 | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 输出极性： | TRUE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP8,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 电源： | 5 V |
| 最大电源电流（ICC）： | 75 mA | 可编程延迟线： | NO |
| Prop。Delay @ Nom-Sup： | 150 ns | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 4.572 mm | 子类别： | Delay Lines |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.25 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.75 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 总延迟标称（td）： | 150 ns | 宽度： | 7.62 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DS1000M-150IND | ETC |
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Tapped Delay Line |
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| DS1000M-150-IND | DALLAS |
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Silicon Delay Line, 1-Func, 5-Tap, True Output, CMOS, PDIP8, |
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| DS1000M-150-IND | MAXIM |
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Silicon Delay Line, 1-Func, 5-Tap, True Output, CMOS, PDIP8, 0.300 INCH, DIP-8 |
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| DS1000M-175 | DALLAS |
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Silicon Delay Line, 1-Func, 5-Tap, True Output, CMOS, PDIP8, 0.300 INCH, DIP-8 |
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| DS1000M-175IND | ETC |
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Tapped Delay Line |
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| DS1000M-200IND | ETC |
获取价格 |
Tapped Delay Line |
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| DS1000M-200-IND | MAXIM |
获取价格 |
Silicon Delay Line, 1-Func, 5-Tap, True Output, CMOS, PDIP8, 0.300 INCH, DIP-8 |
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| DS1000M-20IND | ETC |
获取价格 |
Tapped Delay Line |
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| DS1000M-25 | DALLAS |
获取价格 |
Silicon Delay Line, 1-Func, 5-Tap, True Output, CMOS, PDIP8, 0.300 INCH, DIP-8 |
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| DS1000M-250IND | ETC |
获取价格 |
Tapped Delay Line |
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