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DRV8703QRHBTQ1

更新时间： 2024-11-27 11:11:03

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德州仪器 - TI		栅极驱动驱动器
页数	文件大小	规格书
64页	2107K
描述
具有 SPI 控制功能的汽车类 47V H 桥智能栅极驱动器 \| RHB \| 32 \| -40 to 125

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DRV8703QRHBTQ1 数据手册

DRV8702-Q1, DRV8703-Q1

ZHCSG08E –OCTOBER 2016 –REVISED JANUARY 2021

DRV870x-Q1 汽车H 桥栅极驱动器

1 特性

3 说明

• 符合面向汽车应用的AEC-Q100 标准

DRV870x-Q1 器件是一款小型单通道 H 桥栅极驱动

器，它使用四个外部 N 通道 MOSFET，旨在驱动一个

双向有刷直流电机。

– 器件温度等级1：–40°C 至+125°C 环境工作

温度范围

• 功能安全型

PH/EN、独立 H 桥或 PWM 接口允许轻松连接到控制

器电路。内部传感放大器提供可调的电流控制。集成的

电荷泵可提供 100% 占空比支持，而且可用于驱动外

部反向电池开关。

– 可帮助进行DRV8702-Q1 DRV8703-Q1 功能安

全系统设计的文档

• 单通道H 桥栅极驱动器

– 驱动四个外部N 沟道MOSFET

– 支持100% 脉宽调制(PWM) 占空比

• 工作电源电压范围：5.5V 至45V

• 三个控制接口选项

独立半桥模式支持半桥共享，能够以具有成本效益的方

式顺序控制多个直流电机。这款栅极驱动器内置有相应

的电路，能够使用关断时间固定的PWM 电流斩波来调

节绕组电流。

– PH/EN、独立H 桥和PWM

• 用于配置的串行接口(DRV8703-Q1)

• 智能栅极驱动架构

DRV870x-Q1 器件采用了智能栅极驱动技术，因此无

需任何外部栅极组件（电阻器和齐纳二极管），同时可

为外部 FET 提供保护。智能栅极驱动架构可优化死区

时间以避免出现任何击穿问题，在通过可编程压摆率控

制技术降低电磁干扰(EMI) 方面带来了灵活性，而且可

防止任何栅极短路问题。此外，该架构中还包括主动和

被动下拉特性，可防止任何dv/dt 栅极导通。

– 可调压摆率控制

• 每个H 桥独立控制

• 支持1.8V、3.3V 和5V 逻辑输入

• 电流分流放大器

• 集成PWM 电流调节功能

• 低功耗睡眠模式

• 保护特性

器件信息⁽¹⁾

封装尺寸（标称值）

器件型号

DRV8702-Q1

DRV8703-Q1

封装

– 电源欠压锁定(UVLO)

– 电荷泵欠压(CPUV) 锁定

– 过流保护(OCP)

VQFN (32)

5.00mm × 5.00mm

– 栅极驱动器故障(GDF)

– 热关断(TSD)

(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附

录。

– 监视器计时器(DRV8703-Q1)

– 故障调节输出(nFAULT)

5.5 to 45 V

DRV870x-Q1

2 应用

PH/EN or PWM

Gate

Drive

nSLEEP

H-Bridge Gate Driver

• 电动车窗升降器、天窗、座椅、滑动门、后备箱和

尾门

• 继电器更换

FETs

VREF

Sense Output

Shunt Amplifier

Current

Sense

nFAULT

Current Regulation

Protection

– 应用报告：SLVA837

– TI 设计：TIDUCQ9

• 有刷直流泵

简化版原理图

本文档旨在为方便起见，提供有关TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问

www.ti.com，其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。

English Data Sheet: SLVSDR9

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