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DRC2614T

更新时间： 2024-11-20 21:10:23

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	402K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MINI3-G3-B, 3 PIN

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DRC2614T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.77	最大集电极电流 (IC)：	0.6 A
集电极-发射极最大电压：	20 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	BIP General Purpose Small Signal	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

DRC2614T 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

DRC2614T

Silicon NPN epitaxial planar type

For digital circuits / muting

 Features

ꢀPackage

 Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count.

ꢀCode

 Eco-friendly Halogen-free package

Mini3-G3-B

ꢀPin Name

1: Base

 Packaging

Embossed type (Thermo-compression sealing): 3000 pcs / reel (standard)

2: Emitter

3: Collector

ꢀAbsolute Maximum Ratings T = 25°C

ꢀMarking Symbol: VT

ꢀInternal Connection

Parameter

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector current

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Rating

Unit

R₁

600

°C

Total power dissipation

P_T

200

Resistance value

R₁

kΩ

Junction temperature

T_j

150

Storage temperature

stg

–55 to +150

ꢀElectrical Characteristics T = 25°C±3°C

Parameter

Symbol

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Collector-emitter cutoff current (Base open)

Forward current transfer ratio

Collector-emitter saturation voltage

Input resistance

V_CBOI_C= 10 µA, I_E= 0

V_CEOI_C= 1 mA, I_B= 0

V_EBOI_E= 10 µA, I_C= 0

I_CBO

I_EBO

h_FE

V_CB= 30 V, I_E= 0

V_EB= 5 V, I_C= 0

µA



kΩ

V_CE= 5 V, I_C= 50 mA

100

600

V_CE(sat)I_C= 50 mA, I_B= 2.5 mA

R₁

–30%

+30%

ON resistance

R_on

V_I= 7 V, R_L= 1 kΩ, f = 1 kHz

2.5

Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

Publication date: July 2010

Ver. BED

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DRC2614T0L	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236A
DRC2643T	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS
DRC2643T0L	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236A
DRC3113Z	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS
DRC3113Z0L	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HALOGEN
DRC3114E	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN epitaxial planar type
DRC3114E0L	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HALOGEN
DRC3114T0L	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HALOGEN
DRC3114W	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS
DRC3114W0L	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HALOGEN

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