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DRA4143Z

更新时间： 2024-10-03 14:51:07

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	404K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, NS-B1-B-B, 3 PIN

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DRA4143Z 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.75
Is Samacsys：	N	其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	80
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	BIP General Purpose Small Signal	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

DRA4143Z 数据手册

DRA4143Z

Total pages

page

Tentative

DRA4143Z

Silicon PNP epitaxial planar type

For digital circuits

Marking Symbol : L8

Package Code : NS-B1-B-B

Internal Connection

Absolute Maximum RatingsꢀTa = 25 °C

Parameter

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Collector current

Symbol

VCBO

VCEO

Rating

-50

-100

300

Unit

°C

Total power dissipation

Junction temperature

150

Storage temperature

Tstg

-55 to +150

°C

kΩ

Resistance R1 4.7

R2 47

value

1. Emitter

2. Collector

3. Base

Pin name

Electrical CharacteristicsꢀTa = 25 °C±3 °C

Parameter

Symbol

Conditions

Min Typ Max

-50

Unit

μA

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Collector-emitter cutoff current (Base open)

Emitter-base cutoff current (Collector open)

Forward current transfer ratio

VCBO IC = -10 μA, IE = 0

VCEO IC = -2 mA, IB = 0

ICBO

ICEO

IEBO

hFE

VCB = -50 V, IE = 0

VCE = -50 V, IB = 0

VEB = -6 V, IC = 0

-0.1

-0.5

-0.2

400

VCE = -10 V, IC = -5 mA

Collector-emitter saturation voltage

VCE(sat) IC = -10 mA, IB = -0.5 mA

-0.25

Vi(on) VCE = -0.2 V, IC = -5 mA

Vi(off) VCE = -5 V, IC = -100 μA

-1.3

Input voltage

-0.4

kΩ

Input resistance

Resistance ratio

R1/R2

-30% 4.7 +30%

0.08 0.10 0.12

Note: Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 Measuring

methods for transistors.

Packing

Radial type : 5 000 pcs / carton

2010.2.22

Prepared

2010.9.1

Revised

Semiconductor Company, Panasonic Corporation

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DRA4143Z0A	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, HALOGEN
DRA4144E	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, NS-B1
DRA4144E0A	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, HALOGEN
DRA4144T	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, NS-B1
DRA4144T0A	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, HALOGEN
DRA4144V	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, NS-B1
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