5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > DP83825IRMQR
DP83825IRMQR PDF预览

DP83825IRMQR

更新时间： 2024-01-27 22:24:48
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 以太网局域网（LAN）标准以太网：16GBASE-T电信电信集成电路
页数 文件大小 规格书
111页 1840K
描述
具有 50MHz 速率且外形尺寸超小 (3mm x 3mm) 的低功耗 10/100Mbps 以太网 PHY 收发器 | RMQ | 24 | -40 to 85

阅读下载

中文翻译

获取价格

DP83825IRMQR 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：WQFN-24
Reach Compliance Code：compliantFactory Lead Time：6 weeks
风险等级：1.47Samacsys Description：DP83825I LowPower 10/100 Mbps Ethernet Physical Layer Transceiver
JESD-30 代码：S-PQCC-N24JESD-609代码：e4
长度：3 mm湿度敏感等级：2
功能数量：1端子数量：24
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：HVQCCN
封装形状：SQUARE封装形式：CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
座面最大高度：0.8 mm标称供电电压：3.3 V
表面贴装：YES电信集成电路类型：ETHERNET TRANSCEIVER
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：NO LEAD端子节距：0.4 mm
端子位置：QUAD宽度：3 mm
Base Number Matches：1

DP83825IRMQR 数据手册

 浏览型号DP83825IRMQR的Datasheet PDF文件第4页浏览型号DP83825IRMQR的Datasheet PDF文件第5页浏览型号DP83825IRMQR的Datasheet PDF文件第6页浏览型号DP83825IRMQR的Datasheet PDF文件第8页浏览型号DP83825IRMQR的Datasheet PDF文件第9页浏览型号DP83825IRMQR的Datasheet PDF文件第10页 
DP83825I  
www.ti.com.cn  
ZHCSJ67A –DECEMBER 2018–REVISED AUGUST 2019  
Electrical Characteristics (continued)  
(1)  
over operating free-air temperature range with VDDA = 3.3V (unless otherwise noted)  
PARAMETER  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
UNIT  
I(VDDIO  
=1V8)  
RMII Master (100BaseTx)  
Traffic = 100%  
5.5  
14  
mA  
I(VDDIO  
=1V8)  
RMII Master (10BaseTe)  
RMII Master (10BaseTe)  
RMII Slave (100BaseTx)  
RMII Slave (100BaseTx)  
RMII Slave (10BaseTe)  
RMII Slave (10BaseTe)  
Traffic = 50%  
Traffic = 100%  
Traffic = 50%  
Traffic = 100%  
Traffic = 50%  
Traffic = 100%  
4
4
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
I(VDDIO  
=1V8)  
14  
6
I(VDDIO  
=1V8)  
1.5  
2.5  
1
I(VDDIO  
=1V8)  
I(VDDIO  
=1V8)  
I(VDDIO  
=1V8)  
1
6
POWER CONSUMPTION (Low Power Modes)  
100 BaseTx link in EEE mode with LPIs  
ON  
100 BaseTx EEE mode  
15.5  
mA  
Deep Power Down  
3.5  
4
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
I(AVDD=  
3V3)  
IEEE Power Down  
Active Sleep  
11  
37  
5.5  
Active but not Link  
RESET  
100 BaseTx EEE mode  
Deep Power Down  
IEEE Power Down  
Active Sleep  
2
2.5  
2
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
I(VDDIO  
=3V3)  
5
Active but not Link  
RESET  
5
2.5  
100 BaseTx EEE mode  
Deep Power Down  
IEEE Power Down  
Active Sleep  
2
1.5  
1.5  
3
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
I(VDDIO  
=1V8)  
Active but not Link  
RESET  
3
1.5  
BOOTSTRAP DC CHARACTERISTICS (2 Level)  
VIH_3v3  
VIL_3v3  
VIH_1v8  
VIL_1v8  
High Level Bootstrap Threshold : 3V3  
Low Level Bootstrap Threshold : 3V3  
High Level Bootstrap Threshold:1V8  
Low Level Bootstrap Threshold :1V8  
1.3  
1.3  
V
V
V
V
0.6  
0.6  
30  
Crystal oscillator  
Load Capacitance  
15  
pF  
IO  
VIH High Level Input Voltage  
VIL Low Level Input Voltage  
VOH High Level Output Voltage  
VOLLow Level Output Voltage  
VDDIO= 3V3+/- 10%  
1.7  
2.4  
V
V
V
V
VDDIO= 3V3+/- 10%  
0.8  
0.4  
3V3  
IoH= -2mA, VDDIO=3V3 +/-10%  
IoL= 2mA, VDDIO=3V3 +/- 10%  
Copyright © 2018–2019, Texas Instruments Incorporated  
7
1...45678910...111

中文翻译

下载PDF

与DP83825IRMQR相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
DP83825IRMQT TI 具有 50MHz 速率且外形尺寸超小 (3mm x 3mm) 的低功耗 10/100Mbp

获取价格
DP83826E TI 具有 MII 接口和 ENHANCED 模式的低延迟 10/100Mbps 以太网 PHY

获取价格
DP83826ERHBR TI 具有 MII 接口和 ENHANCED 模式的低延迟 10/100Mbps 以太网 PHY

获取价格
DP83826ERHBT TI 具有 MII 接口和 ENHANCED 模式的低延迟 10/100Mbps 以太网 PHY

获取价格
DP83826I TI 具有工业温度范围的低延迟 10/100Mbps PHY、MII 接口和 ENHANCED

获取价格
DP83826IRHBR TI 具有工业温度范围的低延迟 10/100Mbps PHY、MII 接口和 ENHANCED

获取价格

与DP83825IRMQR相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证