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DP0150ADJ-7 PDF预览

DP0150ADJ-7

更新时间： 2024-01-14 20:17:32
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 89K
描述
DUAL PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR

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DP0150ADJ-7 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：1.76最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：120JESD-30 代码：R-PDSO-F6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.3 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：80 MHz

DP0150ADJ-7 数据手册

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DP0150ADJ / DP0150BDJ  
DUAL PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR  
Please click here to visit our online spice models database.  
Features  
Mechanical Data  
•
•
•
•
•
Epitaxial Planar Die Construction  
•
•
Case: SOT-963  
Ideally Suited for Automated Assembly Processes  
Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1)  
"Green" Device (Note 2)  
Case Material: Molded Plastic, “Green” Molding Compound. UL  
Flammability Classification Rating 94V-0  
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020D  
Terminals: Finish ⎯ Matte Tin annealed over Copper leadframe.  
Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
•
•
Ultra Small Package  
•
•
•
Marking Information: See Page 3  
Ordering Information: See Page 3  
Weight: 0.0027 grams (approximate)  
SOT-963  
4
6
5
Q2  
Q1  
2
1
3
Top View  
Device Schematic  
Maximum Ratings @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Collector-Base Voltage  
Symbol  
Value  
-50  
Unit  
V
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
-50  
V
Collector-Emitter Voltage  
-5  
V
Emitter-Base Voltage  
Collector Current - Continuous  
Base Current  
-100  
-30  
mA  
mA  
IB  
Thermal Characteristics  
Characteristic  
Power Dissipation (Note 3)  
Symbol  
PD  
Value  
300  
Unit  
mW  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 3)  
Operating and Storage Temperature Range  
417  
Rθ  
JA  
-55 to +150  
TJ, TSTG  
Electrical Characteristics @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS (Note 4)  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-Off Current  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Test Condition  
-50  
-50  
-5  
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
-0.1  
-0.1  
V
V
V
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
IC = -10μA, IE = 0  
IC = -1mA, IB = 0  
IE = -10μA, IC = 0  
VCB = -50V, IE = 0  
VEB = -5V, IC = 0  
μA  
μA  
Emitter Cut-Off Current  
IEBO  
ON CHARACTERISTICS (Note 4)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
DC Current Gain  
—
120  
200  
-0.15  
—
—
-0.3  
240  
400  
V
VCE(SAT)  
hFE  
IC = -100mA, IB = -10mA  
VCE = -6V, IC = -2mA  
DP0150ADJ  
DP0150BDJ  
—
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS  
VCE = -10V, IE = 1mA  
f = 30MHz  
Transition Frequency  
80  
—
—
—
—
MHz  
fT  
V
CB = -10V, IE = 0,  
Output Capactiance  
1.6  
pF  
Cob  
f = 1MHz  
Notes:  
1. No purposefully added lead.  
2. Diodes Inc.'s "Green" policy can be found on our website at http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php.  
3. Device mounted on FR-4 PCB with minimum recommended pad layout.  
4. Measured under pulsed conditions. Pulse width = 300µs. Duty cycle ≤2%  
1 of 4  
www.diodes.com  
April 2009  
© Diodes Incorporated  
DP0150ADJ / DP0150BDJ  
Document number: DS31485 Rev. 3 - 2  
1234

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