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DP030E PDF预览

DP030E

更新时间： 2024-09-21 03:30:15
品牌 Logo 应用领域
韩国光电子 - AUK 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 60K
描述
PNP Silicon Transistor

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DP030E 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.84
最大集电极电流 (IC)：0.3 A配置：Single
最小直流电流增益 (hFE)：70最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.2 W
子类别：Other Transistors表面贴装：YES

DP030E 数据手册

 浏览型号DP030E的Datasheet PDF文件第2页浏览型号DP030E的Datasheet PDF文件第3页 
DP030E  
Semiconductor  
PNP Silicon Transistor  
Features  
· Extremely low collector-to-emitter saturation voltage  
( VCE(SAT)= -0.15V Typ. @I /IB=-100mA/-10mA)  
C
· Suitable for low voltage large current drivers  
· Complementary pair with DN030E  
· Switching Application  
Ordering Information  
Type NO.  
Marking  
Package Code  
SOT-523F  
DP030E  
P01  
Outline Dimensions  
unit : mm  
1.60±0.1  
0.88±0.1  
1
3
2
PIN Connections  
1. Base  
2. Emitter  
3. Collector  
KST-4010--000  
1
123

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