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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> DNLS350E-13
DNLS350E-13 PDF预览

DNLS350E-13

更新时间： 2024-09-29 12:50:03
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
5页 128K
描述
LOW VCE(SAT) NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR

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DNLS350E-13 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数：4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：19 weeks
风险等级：1.71Samacsys Confidence：4
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：441114
Samacsys Pin Count：4Samacsys Part Category：Transistor BJT NPN
Samacsys Package Category：SOT223 (3-Pin)Samacsys Footprint Name：SOT223
Samacsys Released Date：2018-08-20 16:26:28Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：3 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：100JESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：1 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

DNLS350E-13 数据手册

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DNLS350E  
LOW VCE(SAT) NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR  
Please click here to visit our online spice models database.  
Features  
Mechanical Data  
•
•
•
•
•
•
Epitaxial Planar Die Construction  
•
•
Case: SOT-223  
Case Material: Molded Plastic, "Green” Molding Compound.  
UL Flammability Classification Rating 94V-0  
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020D  
Terminals: Finish — Matte Tin annealed over Copper leadframe  
(Lead Free Plating). Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
Marking Information: See Page 4  
Ordering Information: See Page 4  
Weight: 0.115 grams (approximate)  
Complementary PNP Type Available (DPLS350E)  
Ideally Suited for Automated Assembly Processes  
Ideal for Medium Power Switching or Amplification Applications  
Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1)  
"Green" Device (Note 2)  
•
•
•
•
•
TOR  
LEC  
COL  
2,4  
3 E  
2 C  
1 B  
C 4  
1
BAS  
E
3
EMITTE  
R
Pin Out Configuration  
Top View  
Device Schematic  
Maximum Ratings @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Collector-Base Voltage  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
Value  
Unit  
V
60  
50  
6
Collector-Emitter Voltage  
V
Emitter-Base Voltage  
V
Peak Pulse Collector Current  
Continuous Collector Current  
Peak Pulse Base Current  
5
A
3
A
IC  
1
A
IBM  
Thermal Characteristics  
Characteristic  
Symbol  
PD  
Rθ  
Value  
1
125  
Unit  
W
Power Dissipation (Note 3) @ TA = 25°C  
°C/W  
W
Thermal Resistance, Junction to Ambient Air (Note 3) @ TA = 25°C  
Power Dissipation (Note 4) @ TA = 25°C  
JA  
2
PD  
Rθ  
62.5  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient Air (Note 4) @ TA = 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
JA  
-55 to +150  
TJ, TSTG  
Notes:  
1. No purposefully added lead.  
2. Diodes Inc.'s "Green" policy can be found on our website at http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php.  
3. Device mounted on FR-4 PCB; pad layout as shown on page 4 or in Diodes Inc. suggested pad layout document AP02001, which can  
be found on our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
4. Device mounted on FR-4 PCB with 1inch2 copper pad layout.  
1 of 5  
www.diodes.com  
April 2009  
© Diodes Incorporated  
DNLS350E  
Document number: DS31231 Rev. 3 - 2  
12345

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DNLS350E-13 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BDP947 INFINEON

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DNM04S0A0R10NFA DELTA

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