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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> DNLS320A-7
DNLS320A-7 PDF预览

DNLS320A-7

更新时间： 2024-09-29 09:54:31
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 176K
描述
LOW VCE(SAT) NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR

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DNLS320A-7 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Not Recommended包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：7.95Is Samacsys：N
其他特性：HIGH RELIABILITY最大集电极电流 (IC)：2 A
集电极-发射极最大电压：20 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：150JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.6 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：220 MHzBase Number Matches：1

DNLS320A-7 数据手册

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DNLS320A  
LOW VCE(SAT) NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR  
Please click here to visit our online spice models database.  
Features  
•
•
•
•
•
•
Epitaxial Planar Die Construction  
Ideal for Medium Power Amplification and Switching  
Complimentary PNP Type Available (DPLS320A)  
Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1)  
“Green” Device (Note 2)  
SOT-23  
C
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability  
Mechanical Data  
•
•
Case: SOT-23  
Case Material: Molded Plastic, "Green” Molding  
Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0  
•
•
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020D  
Terminals: Finish — Matte Tin annealed over Copper  
leadframe. Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
Marking Information: See Page 3  
Ordering Information: See Page 3  
Weight: 0.008 grams (approximate)  
E
B
Schematic and Pin Configuration  
•
•
•
Maximum Ratings @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
Value  
20  
20  
5
Unit  
V
V
V
A
Peak Pulse Current  
5
Repetitive Peak Pulse Current (Note 3)  
Continuous Collector Current  
Base Current  
3
2
0.5  
A
A
A
ICRP  
IC  
IB  
Thermal Characteristics  
Characteristic  
Symbol  
PD  
Rθ  
Value  
600  
Unit  
mW  
°C/W  
°C  
Power Dissipation (Note 4) @ TA = 25°C  
209  
Thermal Resistance, Junction to Ambient Air (Note 3) @ TA = 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
JA  
-55 to +150  
TJ, TSTG  
Notes:  
1. No purposefully added lead.  
2. Diodes Inc.'s "Green" policy can be found on our website at http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php.  
3. Operated under pulse conditions: Pulse width ≤ 100ms, duty cycle ≤ 0.25.  
4. Device mounted on FR-4 PCB; pad layout as shown on page 4 or in Diodes Inc. suggested pad layout document AP02001, which can be found on our  
website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
DS31335 Rev. 4 - 2  
1 of 4  
www.diodes.com  
DNLS320A  
© Diodes Incorporated  
1234

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