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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> DMG9926USD-13
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DMG9926USD-13

更新时间： 2024-11-21 09:54:07
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管PC
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6页 157K
描述
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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DMG9926USD-13 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：15 weeks风险等级：1.66
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：311463Samacsys Pin Count：8
Samacsys Part Category：MOSFET (N-Channel)Samacsys Package Category：Small Outline Packages
Samacsys Footprint Name：SOP-8LSamacsys Released Date：2018-12-12 03:16:10
Is Samacsys：N其他特性：HIGH RELIABILITY
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：8 A最大漏极电流 (ID)：8 A
最大漏源导通电阻：0.024 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1.3 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：30 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

DMG9926USD-13 数据手册

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DMG9926USD  
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR  
Features  
Mechanical Data  
•
•
Dual N-Channel MOSFET  
Low On-Resistance  
•
•
Case: SOP-8L  
Case Material: Molded Plastic, “Green” Molding Compound.  
UL Flammability Classification Rating 94V-0  
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020D  
Terminals Connections: See Diagram  
Terminals: Finish - Matte Tin annealed over Copper lead  
frame. Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
Marking Information: See Page 4  
Ordering Information: See Page 4  
Weight: 0.072g (approximate)  
•
•
•
24mΩ @ VGS = 4.5V  
•
•
•
29mΩ @ VGS = 2.5V  
37mΩ @ VGS = 1.8V  
•
•
•
•
•
•
•
Low Gate Threshold Voltage  
Low Input Capacitance  
Fast Switching Speed  
Low Input/Output Leakage  
Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 2)  
"Green" Device (Note 4)  
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability  
•
•
•
D1  
D2  
SOP-8L  
D1  
S1  
G1  
S2  
G2  
D1  
D2  
D2  
G1  
G2  
S1  
S2  
TOP VIEW  
Internal Schematic  
TOP VIEW  
N-Channel MOSFET  
N-Channel MOSFET  
Maximum Ratings @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Drain-Source Voltage  
Symbol  
VDSS  
Value  
20  
Units  
V
V
Gate-Source Voltage  
VGSS  
±8  
T
A = 25°C  
Drain Current (Note 1)  
Steady  
State  
8
6.7  
A
A
ID  
TA = 70°C  
Pulsed Drain Current (Note 3)  
30  
IDM  
Thermal Characteristics  
Characteristic  
Total Power Dissipation (Note 1)  
Symbol  
Value  
1.3  
Unit  
W
PD  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
96  
°C/W  
Rθ  
JA  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
TJ, TSTG  
Notes:  
1. Device mounted on FR-4 PCB with minimum recommended pad layout.  
2. No purposefully added lead.  
3. Repetitive rating, pulse width limited by function temperature.  
4. Diodes Inc.'s "Green" policy can be found on our website at http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php.  
1 of 6  
www.diodes.com  
June 2009  
© Diodes Incorporated  
DMG9926USD  
Document number: DS31757 Rev. 4 - 2  
123456

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