Datasheet > DMG204010R

DMG204010R

更新时间： 2024-01-24 19:44:15

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	1114K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MINI6-G4-B, SC-74, 6 PIN

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

DMG204010R 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	3.91	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：	210	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
元件数量：	2	端子数量：	6
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN AND PNP	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

DMG204010R 数据手册

DMG20401

Silicon NPN epitaxial planar type (Tr1)

Silicon PNP epitaxial planar type (Tr2)

Unit: mm

For general ampliﬁcation

 Features

 High forward current transfer ratio h_FEwith excellent linearity

 Low collector-emitter saturation voltage V_CE(sat)

 Halogen-free / RoHS compliant

(EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL: Level 1 compliant)

ꢀMarking Symbol: A9

ꢀBasic Part Number

DSC2001 + DSA2001 (Individual)

1: Emitter (Tr1)

2: Base (Tr1)

3: Collector (Tr2)

Panasonic

4: Emitter (Tr2)

 Packaging

5: Base (Tr2)

6: Collector (Tr1)

Mini6-G4-B

SC-74

DMG204010R Embossed type (Thermo-compression sealing): 3000 pcs / reel (standard)

JEITA

ꢀAbsolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Code

SOT-457

Parameter

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Tr1 Emitter-base voltage (Collector open)

Collector current

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Rating

Unit

(C1) (B2) (E2)

Tr1

Tr2

100

Peak collector current

I_CP

200

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Tr2 Emitter-base voltage (Collector open)

Collector current

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

–60

(E1) (B1) (C2)

–50

–7

–100

–200

300

°C

Peak collector current

I_CP

Total power dissipation

P_T

Junction temperature

Overall

T_j

150

Operating ambient temperature

T_opr

–40 to +85

–55 to +150

Storage temperature

stg

Publication date: January 2014

Ver. EED

12 3 4 5 6

下载PDF

与DMG204010R相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
DMG20402	PANASONIC	Silicon NPN epitaxial planar type (Tr1) Silicon PNP epitaxial planar type (Tr2)	获取价格
DMG204A00R	PANASONIC	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon,	获取价格
DMG204B0	PANASONIC	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon,	获取价格
DMG204B00R	PANASONIC	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon,	获取价格
DMG204B1	PANASONIC	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon,	获取价格
DMG2301L	DIODES	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	获取价格