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DMG204B00R

更新时间： 2024-01-31 06:43:26

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	1169K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MINI6-G4-B, SC-74, 6 PIN

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DMG204B00R 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MINI6-G4-B, SC-74, 6 PIN	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	7.99	Samacsys Description：	DMG204B00R, Dual NPN + PNP Bipolar Transistor -0.5 (PNP) A, 100 (NPN) mA -10 (PNP) V, 50 (NPN) V HFE:210
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	最小直流电流增益 (hFE)：	210
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	元件数量：	2
端子数量：	6	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN AND PNP
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

DMG204B00R 数据手册

DMG204B0

Silicon NPN epitaxial planar type (Tr1)

Silicon PNP epitaxial planar type (Tr2)

Unit: mm

For low frequency ampliﬁcation

 Features

 High forward current transfer ratio h_FEwith excellent linearity

 Low collector-emitter saturation voltage V_CE(sat)

 Halogen-free / RoHS compliant

(EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL: Level 1 compliant)

ꢀMarking Symbol: C4

ꢀBasic Part Number

DSC2001 + DSA2401 (Individual)

1: Emitter (Tr1)

2: Base (Tr1)

3: Collector (Tr2)

Panasonic

4: Emitter (Tr2)

 Packaging

5: Base (Tr2)

6: Collector (Tr1)

Mini6-G4-B

SC-74

DMG204B00R Embossed type (Thermo-compression sealing): 3000 pcs / reel (standard)

ꢀAbsolute Maximum Ratings T_a= 25°C

JEITA

Code

SOT-457

Parameter

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Tr1 Emitter-base voltage (Collector open)

Collector current

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Rating

Unit

(C1) (B2) (E2)

Tr1

Tr2

100

Peak collector current

I_CP

200

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Tr2 Emitter-base voltage (Collector open)

Collector current

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

–15

(E1) (B1) (C2)

–10

–7

– 0.5

–1

Peak collector current

I_CP

Total power dissipation

P_T

300

°C

Junction temperature

Overall

T_j

150

Operating ambient temperature

T_opr

–40 to +85

–55 to +150

Storage temperature

stg

Publication date: February 2014

Ver. CED

12 3 4 5 6

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与DMG204B00R相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
DMG204B1	PANASONIC	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon,	获取价格
DMG2301L	DIODES	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	获取价格
DMG2301L-13	DIODES	Power Field-Effect Transistor,	获取价格
DMG2301L-7	DIODES	Power Field-Effect Transistor,	获取价格
DMG2301LK	DIODES	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	获取价格
DMG2301LK-13	DIODES	Small Signal Field-Effect Transistor,	获取价格