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DME505010R

更新时间： 2024-11-25 21:20:43
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC /
页数 文件大小 规格书
6页 1071K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), NPN and PNP

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DME505010R 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：8Samacsys Description：DME505010R, Dual Digital Transistor, NPN, PNP 100 (NPN) mA, -100 (PNP) mA 50 (NPN) V, -50 (PNP) V, 6-Pin SMini6 F3 B
最大集电极电流 (IC)：0.1 A最小直流电流增益 (hFE)：210
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：NPN/PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.15 W子类别：BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：YESBase Number Matches：1

DME505010R 数据手册

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DME50501  
Silicon PNP epitaxial planar type (Tr1)  
Silicon NPN epitaxial planar type (Tr2)  
Unit: mm  
For general amplification  
DME20501 in SMini6 type package  
Features  
High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity  
Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat)  
Halogen-free / RoHS compliant  
(EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL: Level 1 compliant)  
ꢀMarking Symbol: B1  
ꢀBasic Part Number  
DSA2001 + DSC2001 (Individual)  
1: Emitter (Tr1)  
2: Base (Tr1)  
3: Base (Tr2)  
Panasonic  
JEITA  
4: Collector (Tr2)  
5: Emitter (Tr2)  
6: Collector (Tr1)  
SMini6-F3-B  
SC-113DB  
Packaging  
DME505010R Embossed type (Thermo-compression sealing): 3000 pcs / reel (standard)  
ꢀAbsolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
Code  
SOT-363  
Parameter  
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Tr1 Emitter-base voltage (Collector open)  
Collector current  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Rating  
–60  
Unit  
V
(C1) (E2) (C2)  
6
5
4
–50  
V
–7  
V
Tr2  
Tr1  
–100  
–200  
60  
mA  
mA  
V
Peak collector current  
ICP  
1
2
3
(E1) (B1) (B2)  
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Tr2 Emitter-base voltage (Collector open)  
Collector current  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
50  
V
7
V
100  
mA  
mA  
mW  
°C  
°C  
°C  
Peak collector current  
ICP  
200  
Total power dissipation  
PT  
150  
Junction temperature  
Overall  
Tj  
150  
Operating ambient temperature  
Topr  
–40 to +85  
–55 to +150  
Storage temperature  
T
stg  
Publication date: January 2014  
Ver. DED  
1
123456

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与DME505010R相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DME50B01 PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon,
DME50B010R PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor,
DME50C01 PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon,
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 		暂无描述
DME6P12J CDE

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 		CAPACITOR, METALLIZED FILM, POLYESTER, 630V, 0.15uF, THROUGH HOLE MOUNT, RADIAL LEADED
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 		Film Capacitor, Polyester, 630V, 5% +Tol, 5% -Tol, 0.15uF, Through Hole Mount, 7332, RADIA

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