是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.76 | 外壳连接: | SOURCE |
配置: | COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS | 最小漏源击穿电压: | 70 V |
最大漏极电流 (ID): | 30 A | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最高频带: | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码: | R-MDFM-F5 |
元件数量: | 2 | 端子数量: | 5 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 200 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子形式: | FLAT |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | AMPLIFIER | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DMD1029 | SEME-LAB |
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METAL GATE RF SILICON FET | |
DMD1029 | TTELEC |
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OBSOLETE Gold metallised multi-purpose silicon DMOS RF FET | |
DMD1029-A | SEME-LAB |
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METAL GATE RF SILICON FET | |
DMD1029-A | TTELEC |
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OBSOLETE Gold metallised multi-purpose silicon DMOS RF FET | |
DMD1034-1 | ETC |
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Analog IC | |
DMD1040-1 | ETC |
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Analog IC | |
DMD1053-3 | ETC |
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Analog IC | |
DMD1074-1 | ETC |
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Analog IC | |
DMD1095-1 | ETC |
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Analog IC | |
DMD1104-1 | ETC |
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Analog IC |