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DM86L99N/A+

更新时间: 2024-01-26 06:12:29
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其他 - ETC 静态存储器
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3页 93K
描述
x4 SRAM

DM86L99N/A+ 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP16,.3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最长访问时间:150 ns
JESD-30 代码:R-PDIP-T16JESD-609代码:e0
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:4
端子数量:16字数:16 words
字数代码:16工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:16X4输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装等效代码:DIP16,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified子类别:SRAMs
最大压摆率:0.019 mA表面贴装:NO
技术:TTL温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

DM86L99N/A+ 数据手册

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