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DM86LS52N/B+

更新时间: 2024-02-27 14:48:47
品牌 Logo 应用领域
美国国家半导体 - NSC 光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 388K
描述
IC,SHIFT REGISTER,LS-TTL,DIP,18PIN,PLASTIC

DM86LS52N/B+ 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP18,.3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92JESD-30 代码:R-PDIP-T18
JESD-609代码:e0位数:8
功能数量:1端子数量:18
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装等效代码:DIP18,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE电源:5 V
认证状态:Not Qualified子类别:Shift Registers
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:TTL温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

DM86LS52N/B+ 数据手册

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