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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP, DIP14,.3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8542.39.00.01 | 风险等级： | 5.65 |
| 控制类型： | ENABLE HIGH | 系列： | 54 |
| JESD-30 代码： | R-GDIP-T14 | JESD-609代码： | e0 |
| 逻辑集成电路类型： | BUFFER | 最大I（ol）： | 0.016 A |
| 位数： | 4 | 功能数量： | 4 |
| 输入次数： | 1 | 端子数量： | 14 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 输出特性： | 3-STATE | 输出极性： | TRUE |
| 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP14,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 最大电源电流（ICC）： | 62 mA | Prop。Delay @ Nom-Sup： | 18 ns |
| 认证状态： | Not Qualified | 筛选级别： | MIL-STD-883 Class B |
| 座面最大高度： | 5.08 mm | 子类别： | Bus Driver/Transceivers |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | TTL | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 7.62 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DM54126J/883C | NSC |
获取价格 |
IC,BUFFER/DRIVER,SINGLE,4-BIT,STD-TTL,DIP,14PIN,CERAMIC |
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| DM54126J/B | ROCHESTER |
获取价格 |
Buffer |
|
| DM54126W | ROCHESTER |
获取价格 |
Buffer |
|
| DM54126W/883 | NSC |
获取价格 |
IC,BUFFER/DRIVER,SINGLE,4-BIT,STD-TTL,FP,14PIN,CERAMIC |
|
| DM54126W/883B | NSC |
获取价格 |
IC,BUFFER/DRIVER,SINGLE,4-BIT,STD-TTL,FP,14PIN,CERAMIC |
|
| DM54126W/B | ROCHESTER |
获取价格 |
Buffer |
|
| DM54132 | NSC |
获取价格 |
DM54132/DM74132 Quad 2-Input NAND Gates with Schmitt Trigger Inputs |
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| DM54132J | NSC |
获取价格 |
DM54132/DM74132 Quad 2-Input NAND Gates with Schmitt Trigger Inputs |
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| DM54132J/883 | NSC |
获取价格 |
IC TTL/H/L SERIES, QUAD 2-INPUT NAND GATE, CDIP14, CERAMIC, DIP-14, Gate |
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| DM54132J/883 | TI |
获取价格 |
TTL/H/L SERIES, QUAD 2-INPUT NAND GATE, CDIP14, CERAMIC, DIP-14 |
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