是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | DIP, DIP14,.3 | Reach Compliance Code: | unknown |
HTS代码: | 8542.39.00.01 | 风险等级: | 5.67 |
其他特性: | TPHL=15NS @ RL=400 OHMS | 系列: | TTL/H/L |
JESD-30 代码: | R-GDIP-T14 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 19.43 mm | 负载电容(CL): | 15 pF |
逻辑集成电路类型: | NAND GATE | 最大I(ol): | 0.016 A |
功能数量: | 4 | 输入次数: | 2 |
端子数量: | 14 | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 输出特性: | OPEN-COLLECTOR |
封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP14,.3 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 最大电源电流(ICC): | 22 mA |
Prop。Delay @ Nom-Sup: | 45 ns | 传播延迟(tpd): | 45 ns |
认证状态: | Not Qualified | 施密特触发器: | NO |
座面最大高度: | 5.08 mm | 子类别: | Gates |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | TTL | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 7.62 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DM5403J/883 | ETC |
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Quad 2-input NAND Gate | |
DM5403J/883B | ROCHESTER |
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NAND Gate, TTL/H/L Series, 4-Func, 2-Input, TTL, CDIP14, CERAMIC, DIP-14 | |
DM5403J/883B | NSC |
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IC TTL/H/L SERIES, QUAD 2-INPUT NAND GATE, CDIP14, CERAMIC, DIP-14, Gate | |
DM5403J/883C | ROCHESTER |
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NAND Gate | |
DM5403J-MIL | TI |
获取价格 |
IC,LOGIC GATE,QUAD 2-INPUT NAND,STD-TTL,DIP,14PIN,CERAMIC | |
DM5403N | ROCHESTER |
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NAND Gate | |
DM5404 | ETC |
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||
DM5404J | NSC |
获取价格 |
Hex Inverting Gates | |
DM5404J/883 | ROCHESTER |
获取价格 |
Inverter, TTL/H/L Series, 6-Func, 1-Input, TTL, CDIP14, CERAMIC, DIP-14 | |
DM5404J/883 | TI |
获取价格 |
TTL/H/L SERIES, HEX 1-INPUT INVERT GATE, CDIP14, CERAMIC, DIP-14 |